摘要：设计和制造了一个GaAs单片集成激光器驱动电路。描述了电路的设计考虑,制作过程和器件与激光器驱动电路的静态特性。该电路具有大于30mA的电流驱动能力。

摘要：本文介绍Ku波段GaAs单片集成电路的设计、研制和测量结果。该单片电路的匹配网络采用对FET进行计算机分析和电路模拟相结合的方法进行设计。研制成功了一个两级单片电路,其尺寸为1.9×3.2×0.1mm,在14.5～15.4GHz的频率范围内,输出功率P_0≥100mW,增益G_P≥5dB,带内增益起伏△G_P≤±0.75dB。

摘要：本文简述了采用密集型源区正面通孔结构的CX911型砷化镓微波场效应晶体管的设计要点、结构特点以及主要制作技术及其实测性能。该器件在18GHz下,输出功率为300mW、增益大于4dB、最高输出功率为350mW,增益大于5dB。

摘要：本文介绍了DX621型GaAsMESFET的设计与制作。该器件成功地采用了密集型源区正面通孔电镀热沉结构,同时采用了N^+N^-N特殊杂质浓度分布的汽相GaAs外延材料。该器件在18GHz下,1dB压缩输出功率大于600mW,1dB压缩功率增益为7dB,漏极效率大于30％。