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叠层高k栅介质中远程界面粗糙散射的理论模型: 收藏
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引用; 《固体电子学研究与进展》2010年第2期30卷 180-183,217页; 作者：张雪锋邱云贞张振娟陈云黄静王志亮徐静平南通大学电子信息学院江苏南通226019 华中科技大学电子科学与技术系武汉430074; 利用双子带近似,从理论上研究了远程界面粗糙散射对叠层高k栅介质MOSFET反型载流子迁移率的退化作用,模拟了叠层高k栅介质结构参数和材料参数对远程界面粗糙散射的影响。结果表明,对于精确的迁移率模型,远程界面粗糙散射必须加以考虑,另...; 利用双子带近似,从理论上研究了远程界面粗糙散射对叠层高k栅介质MOSFET反型载流子迁移率的退化作用,模拟了叠层高k栅介质结构参数和材料参数对远程界面粗糙散射的影响。结果表明,对于精确的迁移率模型,远程界面粗糙散射必须加以考虑,另外,在设计叠层高k栅介质MOSFET时,在EOT得到满足的条件下,尽可能利用具有较高介电常数的界面层和具有较低介电常数的高k栅介质,可以减小迁移率退化。; 来源：详细信息评论

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