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层状复合材料NiMnGa/PZT的磁电耦合效应研究: 收藏
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引用; 《实验技术与管理》2008年第11期25卷 27-30,34页; 作者：戴玉蓉邱灿灿刘晓丽东南大学教务处江苏南京211189 东南大学物理系江苏南京211189; 选取NiMnGa合金和传统的压电材料PbZr0.52 Ti0.48 O3（PZT陶瓷），制备出2-2型层状复合磁电材料NiMnGa／PZT。在室温下测量了其磁电耦合效应，得到了该材料的磁电耦合系数随频率和偏置磁场的变化曲线。由磁电耦合系数随偏置磁场的变化...; 选取NiMnGa合金和传统的压电材料PbZr0.52 Ti0.48 O3（PZT陶瓷），制备出2-2型层状复合磁电材料NiMnGa／PZT。在室温下测量了其磁电耦合效应，得到了该材料的磁电耦合系数随频率和偏置磁场的变化曲线。由磁电耦合系数随偏置磁场的变化曲线选择合适的模型，对该结果进行了比较理想的拟合，分析了拟合过程及磁电耦合效应的物理机制。可以为设计样品以提高磁电耦合效应提供参考。; 来源：详细信息评论

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