摘要：我们成功地设计出一种新型的Si电子束蒸发器 ,并将它应用于Ge/Si(111)量子点的生长。由于采用悬臂式设计 ,它完全克服了高压短路的问题。电子束蒸发器的性能试验表明 ,稳定输出功率可以控制输出稳定的Si束流。应用这种电子束蒸发器可以在 70 0℃ ,成功沉积出平整的单晶Si薄膜。进一步的试验表明 ,在这种缓冲层表面可以自组装生长出Ge量子点。

摘要：由于在光学和电子器件中的潜在应用,强关联电子材料奇异特性的光学调控研究引起了人们的广泛关注.本文中,我们设计和演示了由关联电子氧化物外延薄膜二氧化钒(VO_(2))和0.05 wt%Nb掺杂的导电TiO_(2)单晶构成的垂直异质结,其在纳米尺度异质界面上的金属-绝缘体转变(metal-insulator transition,MIT)可通过可见光进行有效调控.我们发现该异质结MIT幅度从黑暗状态的~350倍降低到光照状态下的~7倍,并且以幂指数规律依赖于光功率密度.通过打开和关闭光照,能够可逆地、同步地调控异质结的高、低电阻态,且该结电阻的光学调控力度也与光功率密度成幂指数依赖.在低于MIT温度下,当光照功率密度为65.6 mW cm^(-2)时,其开/关比达到320倍;当升高温度时,VO_(2)薄膜转变为金属态时,结电阻的光学调控力度仅有~1倍的变化.上述研究结果归因于异质结势垒高度的降低(净减少~15 meV)和光伏效应诱导的异质界面处VO_(2)的金属化.在低温下,可见光光照激发Nb:TiO_(2)深缺陷能级电子跃迁,诱导异质界面绝缘相VO_(2)金属化;而在MIT温度以上,异质结转变为肖特基型结,光照对金属相VO_(2)能带结构的调控减弱,进而导致结电阻的调控力度大幅降低.该工作表明,非接触式的光学手段可以有效操纵关联电子材料VO_(2)的MIT行为,有望在非致冷型的光电检测和光电开关中得到广泛应用.