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具有非平面栅极配置的高电流MoS_(2)晶体管: 收藏
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引用; 《Science Bulletin》2021年第8期66卷 777-782,M0003页; 作者：林均王滨杨振宇李国立邹旭明柴扬刘兴强廖蕾Key Laboratory for Micro/Nano Optoelectronic Devices of Ministry of Education&Hunan Provincial Key Laboratory of Low-Dimensional Structural Physics and DevicesSchool of Physics and ElectronicsHunan UniversityChangsha 410082China Department of Applied PhysicsThe Hong Kong Polytechnic UniversityHong KongChina College of Microtechnology&NanotechnologyQingdao UniversityQingdao 266071China State Key Laboratory for Chemo/Biosensing and ChemometricsSchool of Physics and ElectronicsHunan UniversityChangsha 410082China; 减小沟道材料的厚度并针对栅极结构进行合理设计,有利于增强短沟道场效应晶体管的栅极控制能力.二维半导体具有优异的电学性能,其原子级别的厚度可以实现较强的栅极耦合效果.我们研制了具有Ω型非平面栅极结构的Mo S_(2)晶体管,实现了...; 减小沟道材料的厚度并针对栅极结构进行合理设计,有利于增强短沟道场效应晶体管的栅极控制能力.二维半导体具有优异的电学性能,其原子级别的厚度可以实现较强的栅极耦合效果.我们研制了具有Ω型非平面栅极结构的Mo S_(2)晶体管,实现了局部栅极耦合效应的增强,Mo S_(2)顶栅晶体管的跨导达到32.7μS/μm,饱和电流高达0.89 A/μm.在此基础上,我们设计了非门反相器,其电压增益为26.6,噪声迁移达到89%,与非门器件实现了基本的逻辑功能.本文为研制高性能二维半导体场效应晶体管提供了新思路.; 来源：详细信息评论

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