摘要：随着医疗资源日益匮乏以及人口老龄化日趋严重,心血管疾病已对人类健康造成了极大的威胁。具有心电(ECG)检测的便携式设备能有效降低心血管疾病对患者的威胁,因此该文设计了一种面向心电检测的混合多模卷积神经网络加速器。该文首先介绍了一种用于心电信号分类的1维卷积神经网络(1D-CNN)模型,随后针对该模型设计了一种高效的卷积神经网络(CNN)加速器,该加速器采用了一种多并行展开策略和多数据流的运算模式完成了卷积循环的加速和优化,能在时间上和空间上高度复用数据,同时提高了硬件资源利用率,从而提升了硬件加速器的硬件效率。最后基于Xilinx ZC706硬件平台完成了原型验证,结果显示,所设计卷积神经网络加速器消耗的资源为2247 LUTs, 80 DSPs。在200 MHz的工作频率下,该设计的整体性能可达到28.1 GOPS,并且硬件效率达到了12.82 GOPS/kLUT。

摘要：研究了基于平方误差距离的矢量量化快速编码算法的VLSI体系结构,该结构以模块化思想设计,采用流水线技术、并行处理和设计复用技术提高了系统的处理速度,占用较少的硬件资源,很容易扩展到任意数目的码书,非常适合大尺寸码书的矢量量化编码系统.对结构中的各个模块分别编写了相应的Verilog HDL模型,完成了整个VLSI电路设计,成功地进行了功能仿真和验证.

摘要：基于IP核的技术设计了一种快速数字电平转换电路.采用电压-电流-电压的方式实现不同电压域的电平转换,引入单稳态延时电路和快慢速通道提高电平转换速度和降低静态功耗,并给出了与标准CMOS工艺兼容的扩展漏极高压MOS管的优化设计.仿真结果表明:在将-5^+5 V电压域的数字电平转换成0^+12V的电压域时,其延时可低于10 ns.

摘要：应用二维器件仿真程序PISCES Ⅱ ,模拟计算了新型槽栅结构器件中凹槽拐角效应的影响与作用 ,讨论了槽栅结构MOSFET的沟道电场特征及其对热载流子效应、阈值电压特性等的影响 .槽栅结构的凹槽拐角效应对抑制短沟道效应和抗热载流子效应是十分有利的 ,并且拐角结构在 4 5°左右时拐角效应最大 .调节拐角与其他结构参数 ,器件的热载流子效应、阈值电压特性、亚阈值特性。

摘要：应用二维器件仿真程序 PISCES- ,对槽栅结构和平面结构器件的特性进行了模拟比较 ,讨论了槽栅结构 MOSFET的沟道电场特征及其对热载流子效应的影响。槽栅结构对抑制短沟道效应和抗热载流子效应是十分有利的 ,而此种结构对热载流子的敏感 ,使器件的亚阈值特性。

摘要：本文提出了一种高效的点乘调度策略和改进的双域高基Montgomery模乘算法,在此基础上设计了一种新型高性能可扩展公钥密码协处理器体系结构,并采用0.18μm 1P6M标准CMOS工艺实现了该协处理器,以支持RSA和ECC等公钥密码算法的计算加速.该协处理器通过扩展片上高速存储器和使用以基数为处理字长的方法,具有良好的可扩展性和较强的灵活性,支持2048位以内任意大数模幂运算以及576位以内双域任意椭圆曲线标量乘法运算.芯片测试结果表明其具有很好的加速性能,完成一次1024位模幂运算仅需197μs、GF(p)域192位标量乘法运算仅需225μs、GF(2m)域163位标量乘法运算仅需200.7μs.

摘要：在分析峰值电流模式升压转换器原理的基础上,设计了一种结构新颖,高精度高性能跨导误差放大器。提出了将具有动态电流自补偿功能的基准电压电路复用为误差放大器输入级的新方法,克服了传统外接基准电压时误差放大器易受干扰和基准电路设计复杂的缺点,提高了误差信号精度和放大器跨导。设计了输出电阻可调电路,简化了补偿网络设计。电路用0.6μmBiCMOS工艺实现,测试表明:3V输入电压,1.2MHz工作频率下,误差放大器开环电压增益57dB,跨导322μS,输入偏置电流小于50nA;升压转换器输出电压15V,输出纹波小于5mV。

摘要：设计了一种单片集成PWM型电流模式升压变换器，芯片内部集成了耐压22V的DMOS功率开关管，开关频率为1．6MHz，采用1．5μm BCD工艺实现。芯片具有很宽的输入电压（2．7～14V）、高效率（85％）、低关断电流、快速暂态响应和低功耗等特性，适宜于用作便携式设备的电源管理，也可作为IP核，嵌入同种工艺下的其它芯片。文中除了对芯片设计方法、思路及主要电路模块结构的设计方案进行讨论外，还提出了减小单片集成开关电源噪声的措施。

摘要：设计了一种基于0．8μm。双阱BiCMOS高压工艺的高精度LDO线性稳压电路．电路采用四管单元带隙基准作温度补偿，多级误差放大反馈结构稳定输出电压，其中直接将带隙基准电路作为误差放大电路的一部分，从而在不增加电路复杂性的基础上，使整个误差放大电路经过多级放大，增益得到大幅提高．Hspice仿真结果表明：电路在较宽的频率范围内，电源抑制比约为85dB；在温度由-20～80℃变化时，其温度系数约为±35×10^-6／℃；电源电压在4．5～28V之间变化时，最坏情况下其线性调整率为0．031mV／V；负载电流由0mA到满载2mA变化时，其负载调整率仅为0．01mV／mA．

摘要：对传统欠压保护电路的缺点进行了分析,给出了一款基于比例电流的欠压保护电路,该电路有两个特点:电路结构简单容易实现,采用了Widlar电流源结构,不需要额外的外部基准;电路结构设计中,考虑了器件的温度特性,保证了电路的翻转阈值和迟滞量在正常温度范围内偏差不大.在基于0.6μm的BiCMOS工艺库下对该电路进行了仿真验证,结果表明:在不同的模型下,阈值最大偏差为50 mV,在不同的温度下,阈值最大偏差为110 mV;该电路可应用于开关电源芯片中.