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基于异构忆阻器的1T2M多值存储交叉阵列设计: 收藏
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引用; 《电子与信息学报》2021年第6期43卷 1533-1540页; 作者：孙晶茹李梦圆康可欣邾少鹏 Sun Yichuang湖南大学信息科学与工程学院长沙410082 北京邮电大学电子工程学院北京100089 英国赫特福德大学物理工程与计算机科学学院哈特菲尔德英国AL109AB; 忆阻器作为一种新型电子元件,具有尺寸小、读写速度快、非易失性和易于与CMOS电路兼容等特性,是实现非易失性存储器最具发展前景的技术之一。但是已有的多值存储交叉阵列存在电路结构复杂、漏电流和存储密度低等问题,影响了多值存储交...; 忆阻器作为一种新型电子元件,具有尺寸小、读写速度快、非易失性和易于与CMOS电路兼容等特性,是实现非易失性存储器最具发展前景的技术之一。但是已有的多值存储交叉阵列存在电路结构复杂、漏电流和存储密度低等问题,影响了多值存储交叉阵列的实用性。该文提出一种基于异构忆阻器的多值存储交叉阵列,其中存储单元由1个MOS管和两个具有不同阈值电压和Ron阻值的异构忆阻器构成(1T2M),可实现单个电压信号完成4值读写的操作,减少电流通路的同时简化了电路结构。通过PSpice进行仿真验证,表明所提出的1T2M多值存储器交叉阵列与已有工作相比,电路结构更简单,读写速度更快,并较好地克服了漏电流问题。; 来源：详细信息评论

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