摘要：研制了一套用于片上皮法级电容测试系统的电容标准件,量值低至1 pF,频率达到1 MHz。该电容标准件采用GaAs衬底,金属-绝缘层-金属(MIM)结构的电容器阵列实现,其标称值分别为1,10和100 pF。为了消除由探针系统和外界环境引入的分布电容的影响,在芯片同一单元内设计了在片开路器,电容测量准确度达到±1%。建立了在片皮法级电容测量模型,利用组建的可溯源在片定标装置对电容样片定标后,进行重复性和稳定性考核,最终研制出年稳定性小于0.4%的电容标准件一套。测量结果及标准件应用表明,研制的标准件可为片上皮法级电容测试系统进行现场整体校准。

摘要：半导体分析仪作为目前半导体器件I-V特性曲线的最重要测量仪器,其微小电流低至pA量级,准确度至1%,采用常规直接测量方法无法实现,论文在研究校准方案的基础上,利用"加压测流法"对GΩ量级高值电阻器进行标定,设计与其配套的无源低电流适配器,巧妙利用Guard技术实现对pA、nA量级微小电流的校准。采用"传递比较法"与上级机构对1pA^10nA的微小电流进行验证,试验数据验证了论文校准方案的正确性。论文技术成果已经应用于半导体工艺线源表类测试系统的校准中,值得借鉴推广。

摘要：直流稳定电源在实际应用中,其稳压状态的输出电压在电源空载状态时和带载状态时存在一定差值,这个差值被称为稳压负载效应,直流稳定电源的稳压负载效应是体现其输出电压对输出回路中负载变化抑制能力的重要指标。直流稳定电源按其输出端可分为有、无电压取样端两种输出形式。通过分析常用直流稳定电源稳压负载效应校准的连线方法,针对无电压取样端的直流稳定电源设计了一款专用插头,在引入极小测量误差的情况下,使接线更为方便快捷,从而提高校准直流稳定电源的工作效率。