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冷阴极潘宁离子源的磁路研究
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《真空》2003年 第2期40卷 23-26页
作者:欧阳礼仁 郑德修西安交通大学电子物理与器件研究所陕西西安710049 
研究了冷阴极潘宁离子源的磁路设计。在简要叙述冷阴极潘宁离子源的基本原理及其对磁场要求的基础上 ,考虑了在设计冷阴极潘宁离子源磁路时的关键问题和解决方法 ,并给出了实验结果和分析结论。
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一种判断氧化物阴极活性的简便方法
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《真空电子技术》1995年 第5期8卷 42-44页
作者:巨振乐 郑德修西安交通大学 
用降落法测量氧化物阴极活性时,常常要测量其特征温度;本文叙述了一种供生产使用的测量氧化物阴极特征温度的简便方法──电阻法(RM);该方法的线路设计简单、操作简便,测量迅速,结果显示直观,对批量产品可进行测量.
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微波放电等离子体性能研究
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《西安交通大学学报》1996年 第1期30卷 7-12页
作者:郑德修 金伟强 黄运添 罗亦麟西安交通大学电子与信息工程学院 陕西 西安 
利用自行设计建立的微波放电实验系统,运用静电双探针对产生的等离子体进行了测试,得出了在均匀磁场中微波输入功率、气体压强、气体种类等条件对等离子体参数及其分布的影响。
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宽束矩形冷阴极潘宁离子源研究
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《真空电子技术》2003年 第2期16卷 57-59页
作者:欧阳礼仁 郑德修西安交通大学电子物理与器件研究所陕西西安710049 
根据大面积离子束辅助沉积MgO薄膜的需要 ,本文研究了具有并行阳极结构的宽束矩形冷阴极潘宁离子源。在简要说明冷阴极潘宁离子源基本原理的基础上 ,分析了在设计宽束矩形的离子源中主要考虑的问题 ,并给出初步的实验结果。
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MgO薄膜二次电子发射系数测量装置的设计
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《真空电子技术》2000年 第5期13卷 5-8页
作者:吕晓军 喻志农 郑德修西安交通大学电子物理所陕西西安710049 
Mg O薄膜的二次电子发射系数 γ在彩色等离子体显示器的研究中是一个非常重要的参数。因此 ,准确的测量 Mg O膜的二次电子发射系数是很有必要的。本文分析了在二次电子发射系数测量中最容易出现的一些问题 ,并从 Mg O膜的二次电子发射...
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