摘要：Flash开关单元是实现Flash型现场可编程门阵列(FPGA)的重要配置单元,具有可重构、集成度高、功耗低的优势。采用正交试验设计方法,进行了n型Flash开关单元编程及擦除试验,获取了Sense管和Switch管编程及擦除阈值电压,构建了Sense管编程阈值电压、Sense管擦除阈值电压、Switch管编程阈值电压、Switch管擦除阈值电压共四个回归模型。结果表明:所建立模型预测阈值电压的最大误差均不超过0.15 V,平均误差均不超过0.06 V,均具有较高的显著性,模型可信度高;Sense管和Switch管编程阈值电压与编程时间的对数、编程正压、编程负压分别呈线性关系,Sense管和Switch管擦除阈值电压与擦除时间的对数、擦除正压、擦除负压亦分别呈线性关系。回归模型可为Flash开关单元操作波形的设计和优化提供参考依据。

摘要：传统的结深测试方法有:汞探针电容法、扩展电阻法、染色SEM法等,上述方法都具有相应的优点和局限性,本文介绍另外一种通过侧面结电容测试结深的方法,它可以嵌入电路中进行对任何一步工序后的结深监控,也可以在流片完成后对最终的结深进行监控,相比传统测试方法,它的突出优点是不具有破坏性,并且可以设计成一种PCM测试结构进行监控。

摘要：文章对三极管版图结构和器件特性关系进行了研究,设计了5种常规的纵向NPN管结构,从电流能力和寄生电阻两方面讨论了不同结构的差异和优劣。认为单基极接触结构比双基极接触结构具有更优的电流能力;集电极电流和发射极面积AE并不是按照比例线性增大,尤其在大注入时,集电极电流增大明显低于AE的增大;相同面积的马蹄形结构发射区放置在周围具有更大的AE和电流能力;这些结构在寄生电阻表现上各有优劣。讨论了基极和集电极接触方式差异对三极管电流性能的影响,对电路版图设计提出建议。讨论了EB隔离方式对三极管放大倍数HFE的影响,指出多晶隔离EB结构具有更大的HFE,尤其在小注入时表现显著。通过对这些结构的分析,还提出电流能力更优的梳状结构的版图布局。

摘要：文章通过分析总剂量辐照机理和三极管结构总剂量辐照的瓶颈部位,比较普通和多晶发射极VNPN晶体管结构上的区别,指出多晶发射极结构具有更强的总剂量辐照能力。多晶发射极结构总剂量辐照能力增强是由于该结构EB之间存在多晶+薄氧化层的结构,该结构中多晶屏蔽了顶部厚氧化层辐照效应的影响,而普通结构EB之间则是厚氧化层结构,总剂量辐照能力弱。在对多晶发射极结构总剂量辐照关键部位的分析过程中,对多晶发射极三极管局部结构进行了进一步优化设计,最后给出了多晶发射极结构三极管的辐照实验结果,并对实验结果进行了分析。

摘要：静电损伤失效可能是热击穿(电流)造成的结或金属布线熔融失效,也可能是强电场(电压)诱发的介质失效,文章主要从电流热击穿方面探讨了静电触发时的ESD(Electro-Static-Discharge)保护结构的保护机理和失效机理以及工艺和版图上的应对措施。保护结构工作时的电流泄放能力决定了其保护能力,这种能力可以通过使泄放电流均匀、优化PN结特性等方面加强。电流泄放的均匀性可以在工艺版图上进行优化,结两侧浓度决定了结的耐受能力和结上的偏压,进而影响器件功耗。另外还提及了保护结构的负面影响以及工艺上的优化方案。

摘要：关于LATCHUP理论目前相当丰富,但是关于LATCHUP的具体测试和分析文献很少介绍。本文讨论门亚微米工艺LATCHUP测试的一个例子。门的LATCHUP测试不属于常规PCM参数测试,但是在新工艺开发时,必须进行相关测试来确认设计规则。在这个例子里,作者进行LATCHUP测试和分析,最后得出相关结论。对于LATCHUP测试,不同工艺和不同测试结构在实际测试时可能会有些不同考虑,因此,希望该例子能给读者提供一些关于LATCHUP测试和分析的思路。

摘要：三极管测试发现,发射极和基极EB结击穿测试会降低三极管放大倍数HFE。理论表明,HFE和注入效率γ、基区输运系数αT、复合系数δ相关。文章模拟EB结击穿应力,同时设计三种测试方法,测试应力前后三极管HFE、IC、IB等参数的变化,认为HFE降低是由于IB的增大造成。同时根据上面三个系数对应的物理区域分析认为,电流应力造成了缺陷,缺陷引起的EB结复合电流和基区传输复合电流的增大是IB增大的原因,但EB结复合电流是主要的,是HFE降低的原因。最后指出流片工艺过程中的损伤也会造成类似HFE降低的问题。

摘要：在半导体制造工业中,参数测试作为有效的对在线制品的监控手段,一方面反映了工艺线的工艺水平状况,另一方面它也是制造公司与设计公司之间进行沟通的主要依据。而对于新工艺研发来说,参数测量及分析更是整个研发过程中极其重要的一部分,及时准确的参数测量结果是产品工程师快速作出工艺研发方向的判断依据。因此,芯片参数测量分析的主要作用在于:在工业生产中得到大量的测量数据,用于评价工艺设备、半导体材料和电路结构,监视和控制工艺和器件参数的均匀性、重复性、协调性,分析工艺中存在的缺陷,诊断电路性能失常规律,预测成品率,预报可靠性信息等等。文章主要介绍了运用参数测试对在线工艺异常进行可靠性评估的方法。

摘要：在现代比较先进的Bipolar技术中,一般采用多晶发射极结构,这种结构可以提高双极管放大倍数和频率响应特性,因此,这种结构得到广泛的应用。由于这种结构中多晶是直接和硅衬底接触的,多晶腐蚀时要注意过腐蚀量、腐蚀均匀性以及腐蚀后硅衬底的形貌问题。本文主要介绍在这种工艺过程中我们进行的相关实验以及控制方法。最后,简单介绍我们工艺开发的第一批结果。

摘要：主要研究了一种新型MTM反熔丝结构的电特性,未编程反熔丝漏电和击穿以及编程特性,有助于电路的编程电流设计,也为反熔丝击穿和漏电的标准制定提供参考。该研究对电极和温度特性的应用也有十分重要的意义。