摘要：针对无片外电容低压差线性稳压器瞬态响应差的问题,本文提出了一种摆率增强电路,该设计采用了动态密勒补偿技术,使得低压差线性稳压器有良好的环路稳定性。本文基于SilTerra公司的标准0.18μm的CMOS工艺,通过最终的仿真,该设计的低压差线性稳压器在负载电流20 mA~200μA的瞬态变化下过冲电压仅有80 mV,恢复时间0.5μs,线性调整率与负载调整率的最大值分别为0.036%、6.4%。降低了低压差线性稳压器输出的过冲电压以及恢复时间,实现了具有高瞬态响应的无片外电容低压差线性稳压器。

摘要：为提升车规芯片在高温下的温度传感电路检测精度,进行过热保护,文章基于Key-Foundry 0.18μm BCD(Biploar-CMOS-DMOS)数模混合工艺设计了一种适用于车规芯片的温度传感检测电路。首先利用了共模电压转换技术实现带隙基准电压共模电压转换,利用NPN基-射电压差的负温度特性传感温度,其次采用开尔文连接进一步提升精度,最后利用电流切换和比较器组合控制温度滞回窗口稳定并实现多通道测量。仿真结果显示提出的电路可以同时支持多路温度检测,过温阈值典型值175℃,过温恢复阈值典型值167℃,温度滞回窗口8℃,电源电压对温度滞回的影响仅为0.11℃/V,增加了温度测量的稳定性。芯片测试结果显示,多通道过温阈值实测值为175℃±2.28%,精度满足要求。

摘要：本文利用Vtp提取电路、能隙基准电压源电路以及运算放大电路设计了一种电流源电路。使用CA-DENCESPECTRE仿真工具进行仿真,在TSMC0.35μm工艺的五种工艺边界条件TT、FF、FS、SF、SS)下,该电路输出电流变化小于8%,并且在同一工艺边界条件下输出电流随温度(-40～85℃)变化小于3%。

摘要：文中介绍一种提高运算放大器共模抑制比的全差分结构,并且应用该结构设计一输入输出rail-to-rail方式的高性能集成运算放大器。