摘要：通过脉冲激光沉积法(PLD)在(001)-SrRuO_3/SrTiO_3(SRO/STO)衬底上生长了CoFe_2O_4/Ba_(0.9)Ca_(0.1)Ti_(0.9)Zr_(0.1)O_3(CFO/BCZT)双层磁电复合薄膜。采用X射线衍射仪(XRD)、原子力显微镜(AFM)和扫描电子显微镜(SEM)测试样品的晶体结构及形貌。XRD结果显示:单相BCZT铁电薄膜、CFO铁磁薄膜及CFO/BCZT磁电复合薄膜均为(00l)择优取向结构。物理性能测试结果表明:CFO/BCZT复合薄膜具有良好的铁电性能(剩余极化值,Pr=15. 1μC/cm^2)、铁磁性能和磁电耦合性能(磁电耦合系数,αE～82. 4 m V·cm^(-1)·Oe^(-1))。这种无铅的磁电复合薄膜为设计新型多铁电子器件提供了一种选择。

摘要：在功能材料研究领域,人工复合的多铁磁电材料因具有室温环境下特殊的磁电性能——铁电有序和铁磁有序共存及"磁-力-电"转换特性(磁电耦合效应),在磁传感器、换能器、微波器件、存储器等方面有着十分诱人的实用价值与应用前景。本文在回顾多铁磁电复合材料背景知识的基础上,重点介绍磁电复合材料磁电耦合机理、设计原理、制备方法与研究现状、理论分析方法与磁电效应表征方法相关内容,最后总结、展望多铁磁电复合材料未来研究中的一些重要问题。

摘要：嵌段共聚物光刻胶引导自组装是先进制程半导体制造的候选方案之一。第一代嵌段共聚物光刻胶的典型代表是聚苯乙烯-聚甲基丙烯酸甲酯二嵌段共聚物,受限于自身较低的相互作用参数(χ),最小半周期(0.5L0)为11 nm。第二代嵌段共聚物光刻胶的特征是具有高相互作用参数(实现10 nm以下图案化),但是由于两个嵌段的表面能(γ)差异较大,需要引入额外的溶剂退火或者涂层工艺。为了解决上述问题,国内外学者发展了第三代嵌段共聚物光刻胶,不仅具有较高的相互作用参数,还具有接近的表面能(高χ近γ),适用于工业友好的热退火工艺引导自组装。最近,基于材料基因组计划概念,将多种共变特性赋予单一材料的第四代嵌段共聚物光刻胶问世,可以实现高通量合成建立嵌段共聚物库,通过调控χ和χN满足不同的应用场景(0.5L0=4~10 nm),还可以免除热退火工艺中涂覆中性层步骤,简化了工艺流程。本文总结了第三代和第四代先进嵌段共聚物光刻胶的设计,并且对相关领域存在的挑战与机遇进行了探讨和展望。

摘要：嵌段共聚物的合成及其应用是高分子科学领域的研究热点.近年来,国内外学者设计了一系列新型含硅嵌段共聚物,具有较高的Flory-Huggins相互作用参数,在自组装制备亚5 nm特征图案方面取得了重大突破,有望应用于下一代半导体制造.本文总结了聚二甲基硅氧烷基、聚含硅苯乙烯基和聚倍半硅氧烷基3种类型含硅嵌段共聚物的合成,讨论了在本体和薄膜自组装纳米图案化方面的研究进展,对相关领域存在的挑战与机遇进行了展望.