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InAlAs/InGaAs/InAlAs量子阱高迁移率二维电子气系统中的反弱局域效应研究: 收藏
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引用; 《物理学报》2007年第7期56卷 4099-4104页; 作者：周文政林铁商丽燕黄志明崔利杰李东临高宏玲曾一平郭少令桂永胜褚君浩中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室广西大学物理科学与工程技术学院南宁530004 中国科学院半导体研究所; 研究了Si重δ掺杂In0.52Al0.48As/In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As单量子阱内高迁移率二维电子气系统中的反弱局域效应.研究表明,强的Rashba自旋轨道相互作用来源于量子阱高的结构反演不对称.高迁移率系统中,粒子的运动基于弹道输运而非...; 研究了Si重δ掺杂In0.52Al0.48As/In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As单量子阱内高迁移率二维电子气系统中的反弱局域效应.研究表明,强的Rashba自旋轨道相互作用来源于量子阱高的结构反演不对称.高迁移率系统中,粒子的运动基于弹道输运而非扩散输运.因此,旧的理论模型不能用于拟合实验结果.由于最新的模型在实际拟合中过于复杂,一种简单可行的近似用于处理实验结果,并获得了自旋分裂能Δ0和自旋轨道耦合常数α两个重要的物理参数.该结果与对纵向电阻的Shubnikov-deHaas—SdH振荡分析获得的结果一致.高迁移率系统中的反弱局域效应研究表明,发展有效的反弱局域理论模型,对于利用Rashba自旋轨道相互作用来设计自旋器件尤为重要.; 来源：详细信息评论

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