摘要：硅片显影设备可以对硅片表面已曝光的光刻胶完成显影腐蚀及清洗处理,但是国内的显影设备大多自动化程度低,难以精确控制显影参数,显影工艺稳定性得不到保证。本文通过对现有设备关键部件的研究论证,设计了一款全自动硅片腐蚀显影设备,提高了显影参数的控制精度,保证了显影工艺稳定性,在实际生产应用中取得了良好的效果。

摘要：研究提出了一种改进型遗传算法,该算法采用了电镀行车搬运顺序作为初生代染色体编码,依据不同行车调度特征来产生初始种群,避免初始种群的不可行性,提高了后续的优化质量。同时,通过在该算法中运用邻域运算,从而加快了收敛速度。运行结果显示,该算法运行良好,验证了其运行的有效性、可靠性。

摘要：电铸铜能制造某些难以用机械加工方法制造的特殊形状的金属制品,只需针对零件结构的特点,设计合理心模,便可实现零件的精密成型制造。本文对电铸铜工艺及工艺条件的影响进行了浅析,并结合工艺对电铸槽等关键部件进行了阐述。

摘要：碳化硅(SiC)作为一种具有良好物理特性的材料受到了广泛的关注,多种生长技术被应用于 SiC 单晶的生长,其中 PVT(Physical Vapor Transport)法是其中一种主流的生长方法,并且在材料研究和工业生产中都有着广泛的应用。本文针对PVT法SiC单晶生长热场结构进行了研究,通过计算机仿真的方法,分析了上保温空腔(上保温与坩埚之间的空腔)高度对于SiC单晶生长热场的影响,结果表明:上保温空腔的存在与否对于SiC单晶生长热场影响巨大,而且空腔高度既不能太大,也不能太小,通过分析比较,获得了较优的高度值,并通过实验的方法,获得了结晶质量良好的SiC晶体。