摘要：利用压力继电器和PLC控制系统,完成对滤料流态化再生除油过滤机控制系统的设计。阐述过滤机在过滤、滤料再生两个工作状态下的PLC控制技术、梯形图编程及实现过程。

摘要：以准格尔地区的高铝粉煤灰、准格尔周边地区钾长石为主要原料制备发泡陶瓷,探究了不同烧成制度(最高烧成温度、保温时间)对发泡陶瓷样品孔结构(孔均匀度、孔径、表观孔壁厚度)以及体积密度、抗压强度、吸水率的影响规律。研究结果表明,最高烧成温度和保温时间对粉煤灰基发泡陶瓷的体积密度、抗压强度、吸水率影响较大,在烧成范围内,升高烧成温度和延长保温时间会使烧成样品孔径增大,孔均匀度提升,孔壁变薄,体积密度降低,抗压强度降低,吸水率增大。

摘要：大同第二发电厂引进的匈牙利ＨＥＬＬＥＲ空冷系统，因设计、运行操作和维护等问题，投运以来，曾多次发生故障，其中空冷塔冷却三角形泄漏、冻裂事故达１８次。为使空冷机组能适应冬、夏及多风气候条件，最切实可行６４办法是增装空冷塔预热／冷却装置。

摘要：详细地分析了Cascode结构的线性度和3dB带宽，利用Cascode结构的高线性度和Darlington结构的高增益的优点构成了Darlington—Cascode结构，在此基础上，基于台积电TSMC0．35μm SiGe工艺，设计了一款芯片面积小的满足超宽带（UWB）标准的无电感SiGe异质结双晶体管（HBT）低噪声放大器（LNA）。该放大器利用电阻反馈结构替代了电感-电容（LC）匹配网络结构，实现了输入、输出阻抗匹配，未采用无源电感，节省了芯片面积，芯片面积仅为0．046mm2，并将Darlington—Cascode结构作为LNA的输出级，既提高了增益，又提高了线性度。LNA版图仿真结果表明，在UWB频带范围内，LNA的增益为19．5～20dB，增益平坦度为4-0．25dB；输入、输出匹配良好；线性度为-5- -2dBm；在整个频段内，无条件稳定。

摘要：设计了一款无螺旋电感的1~6 GHz频段的小面积高性能SiGe HBT宽带低噪声放大器(wideband low noise amplifier,WLNA).采用具有优良阻抗匹配特性的共基放大器作为输入级,并采用噪声抵消技术抵消其噪声达到输入噪声匹配;共射放大器作为输出级,有源电感替代螺旋电感实现电感峰化技术来扩展频带宽度、提高增益的平坦度.基于Jazz 0.35μm SiGe BiCMOS工艺,完成了版图设计,WLNA的版图尺寸仅为105μm×115μm,与使用螺旋电感的WLNA相比,芯片面积大大减小.利用安捷伦公司的射频/微波集成电路仿真工具ADS进行了验证.结果表明:该WLNA在1~6 GHz频段内,S21>16 dB,NF<3.5 dB,S11<-10 dB,S22<-10 dB.对于设计应用于射频前端的小面积、低成本、高性能的单片WLNA具有一定的指导意义.

摘要：1.问题的提出(代序) 目前我国林业系统在高山林区航测成图技术方面仍十分落后.大部分硬件设备还停留在五十年代水平。在软件操作上,仍延续烦杂的手工作业方式.在成图速度上远不能适应森林经理和森林经营的需要.因此,航测内业成图传统工艺的改造已势在必行.当前技术改造有两条路可走:一是引进先进设备,如采用OR—1正射投影仪进行自动扫描成图。从根本上改造当前落后的成图面貌。二是改造传统工艺,提高自动化程度和成图效率.在目前我国经济技术状况下必须用这两条腿走路.缺一不可,本文应对用DL—2微机绘图系统改造航测成图工艺方面。提出一孔之见。 当前制作高山林区平面图主要由两个工序组成:一是进行内业加密点计算;二是利用这些加密点在纠正仪上对航片进行分带纠正,然后镶嵌成图。前者对加密点的计算。

摘要：影响型煤成型产品强度的因素主要有4种,即黏结剂、成型压强、粒度组成和成型水分,正交试验选定在型煤成型影响因素中。实验的黏结剂为腐殖酸土,且保持不变,通过正交实验设计方法,优化另3种影响因素(成型压强、粒度组成、成型水分)的选择。

摘要：针对传统的共基-共射(CB-CE)回转器有源电感的品质因子Q值低等缺点,应用Cascode结构把CB-CE有源电感改进为共基-共射-共基(CB-CE-CB)有源电感,推导出等效电路及等效阻抗表达式。最后基于Jazz 0.35μm SiGe BiCMOS工艺,利用ADS软件完成电路设计与仿真,应用Cadence Virtuoso平台完成版图设计。改进之后的有源电感,通过改变外加偏置条件,实现了电感值和品质因子Q值的可调,电感值可调范围为0.35～2.72 nH,Q值最大值可达1 172,版图面积仅为51μm×35μm。该有源电感应用于射频电路中,可取代无源电感。与无源电感相比,品质因子Q值明显提高,版图面积大大减小,更利于集成。

摘要：利用有源电感来实现超宽带低噪声放大器(UWB LNA),不但可以减小芯片面积、改善增益平坦度,而且可通过外部调节偏置电压来调谐有源电感的电感值,进而调整设计中没有考虑到的由工艺变化及封装寄生带来的增益退化。采用TSMC 0.35μm SiGe BiCMOS工艺,利用Cadence设计工具完成了放大器电路及版图的设计。在3.1～10.6GHz工作频率范围内,通过外部调节电压来调谐有源电感,可使LNA的增益S21在16～19dB范围内变化,输入输出回波损耗S11,S22均小于-10dB,噪声为2.4～3.7dB,输入3阶截点IIP3为-4dBm。整个电路芯片面积仅为0.11mm2。

摘要：提出一种以SiGe HBT为有源器件的超宽带有源可调衰减器。在超宽频带内实现了宽增益调节范围和高线性度。详细分析了有源衰减器的最小插入损耗及最大衰减量,基于Jazz 0.35μm SiGe HBT工艺,通过选择合适的SiGe HBT有源器件,完成了超宽带有源可调衰减器的设计。利用安捷伦公司的ADS仿真软件,对设计的有源可调衰减器进行仿真验证。结果表明,在3.1～10.6GHz的超宽带内,当电压在0.4～1.8V的范围内变化时,该有源可调衰减器的增益动态范围大于50dB,S11在整个电压变化范围内均低于-10dB,且输入3阶交调点(IIP3)为13dBm。