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功率型双基区晶体管（DUBAT）的研制及其初步应用: 收藏
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引用; 《半导体技术》1994年第1期10卷 9-12页; 作者：郭维廉郑云光侯增一杨开俊郭正毅钟奇天津大学电子工程系天津第四半导体器件厂; 本文在重点考虑了提高击穿电压和增大电流容量的基础上，设计并研制出功率型ＤＵＢＡＴ。其主要参数达到：ＢＶ＿（ＣＥＯ）≥１２０Ｖ，Ｉ＿（ＣＭ）≥２Ａ，Ｒ＿Ｎ：５０～１１０Ω，Ｐ＿（ＣＭ）≥１５Ｗ。并将此器件初步应用于列车...; 本文在重点考虑了提高击穿电压和增大电流容量的基础上，设计并研制出功率型ＤＵＢＡＴ。其主要参数达到：ＢＶ＿（ＣＥＯ）≥１２０Ｖ，Ｉ＿（ＣＭ）≥２Ａ，Ｒ＿Ｎ：５０～１１０Ω，Ｐ＿（ＣＭ）≥１５Ｗ。并将此器件初步应用于列车用荧光灯管电路。; 来源：详细信息评论

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