摘要：从传质原理讨论了碳丙脱碳的传质过程，分析了脱碳塔采用散堆填料和规整填料各自的传质特点，强调了填料塔中采用新型液体分布器的重要性。

摘要：针对目前在推广应用规整填料Ｍｅｌａｐａｋ时很少进行传质计算的缺陷，根据文献报道，对其传质计算进行综述，并给出计算示例，这对合理应用规整填料具有积极的作用。

摘要：目的 :了解临床支持系统发生风险事件的种类和多发区 ,并分析原因 ,防范临床支持系统发生风险事件。方法 :设计调查表及收集临床风险事件资料 ,对支持系统发生的风险事件进行分析、探讨。结果 :临床支持系统发生的风险事件常见种类是设施不安全、保安问题、皮肤损伤、病人摔伤 ,分别占该类事件总数的 3 3 3 3 %、2 7 78%、2 2 2 2 %、16 67%。其多发区是内科和急诊科。结论 :临床支持系统风险事件的防范应以设施不安全、保安问题、皮肤损伤、病人摔伤为重点 ,同时加强高发区的管理 ,并全院全面推行风险管理 ,让风险事件防范于未然 。

摘要：通过对黏弹性阻尼器力学性能的分析,得到了黏弹性阻尼器在任意时刻的恢复力公式,根据引入的三段变刚度模型,推导了变刚度黏弹性支撑结构体系的各段相对位移表达式,将此黏弹性支撑应用于高层钢结构体系,通过有限元软件对此体系进行时程分析,结果表明,装有黏弹性阻尼器的结构体系消能性能显著。

摘要：考虑到负阻晶体管NEGIT的特性，设计和制造了在光强度100lx和1000lx的白炽灯光照射下输出光电流可分别达到0．6mA和18mA的光电负阻晶体管PNEGIT。

摘要：给出了SOI近红外Si0.8Ge0.2/Si横向pin光电探测器的设计和制作过程。对制得的样管进行了典型光电参数的测试。测试结果表明,探测器的响应波长范围为0.4～1.3μm,峰值响应波长在0.93～0.97μm,峰值波长下响应度达0.38μA/μW,与Si光电探测器相比,出现明显的响应波长范围和响应峰值波长红移,光电性能达到了预先的设计目标。

摘要：设计了一种新型叉指状近红外 Si0 .8Ge0 .2 / Si pin横向光电探测器。采用半导体器件模拟软件 Atlas分别对该器件平衡条件下物理特性及反向偏压下电场分布、光电特性进行了模拟 ;对实际制作的光电探测器进行了测试 ,结果表明 :其波长响应范围为 0 .4～ 1 .3μm,峰值响应波长在 0 .93μm,响应度达 0 .3 8A/ W,寄生电容小于 2 .0 p F。实验结果和模拟结果符合得很好。其良好的光电性能为应用于近红外光的高速。

摘要：在 SOI(Silicon on Insulator)结构硅膜上面生长一层 Si Ge合金 ,采用类似 SOICMOS工艺制作成具有Si Ge沟道的 SOICMOS集成电路。该电路不仅具有 SOICMOS电路的优点 ,而且因为 Si Ge中的载流子迁移率明显高于 Si中载流子的迁移率 ,所以提高了电路的速度和驱动能力。另外由于两种极性的 SOI MOSFET都采用 Si Ge沟道 ,就避免了只有 SOIPMOSFET采用 Si Ge沟道带来的选择性生长 Si Ge层的麻烦。采用二维工艺模拟得到了器件的结构 ,并以此结构参数进行了器件模拟。模拟结果表明 ,N沟和 P沟两种 MOSFET的驱动电流都有所增加 。

摘要：考虑到负阻晶体管ＮＥＧＩＴ的特点，设计和制造了在光照度１００ｌｘ和１０００ｌｘ的白炽灯光照射下输出光电流可分别达到０．６ｍＡ和１８ｍＡ的光电负阻晶体管ＰＮＥＧＩＴ并测量了其特性．

摘要：本文设计并研制出在液氮温度（７７Ｋ）下，ｈＦＥ≈３００；在１０Ｋ下，ｈＦＥ＝２１．７的高性能硅双极晶体管，此值优于文献报导的水平［７］．测量了该器件在７７Ｋ的ＩＣ，ＩＢ－ＶＢＥ特性和ｈＦＥ－１／Ｔ特性，并对这些曲线的解释进行了新的理论探讨。