摘要：本文第一部分用较简单而不同于文献[1]的方法推导出双基区晶体管(DUBAT)有关的负阻参数,与实验结果符合良好;第二部分对功率型DUBAT进行了设计并初步制成这种器件。

摘要：以光接收器件代替RTD MOBILE(RTD单-双稳转换逻辑单元)电路中的HEMT或HBT,可构成光控MOBILE电路。在比较了四种光控MOBILE结构的基础上,选择RTD/HPT光控结构,重点分析讨论了RTD/HPT光控MOBILE的工作原理,当光控MOBILE的输入光功率超过一个临界值时,MOBILE的输出电压便会从高电平跳变到低电平;由HPT光增益理论分析了提高HPT性能的措施以及HPT设计中应该注意的问题;介绍了以Si光三极管代替HPT,通过模拟实验,验证了RTD/HPT光控MOBILE的逻辑功能。

摘要：负阻型HBT既保持了原HBT高频、高速的特点,同时又具有负阻、双稳、自锁等特性,是一种极具研究价值的新型负阻器件。该文从Early效应造成超薄基区穿通,器件由双极工作状态向体势垒管工作状态转变从而形成负阻特性的思路出发,通过对材料结构的特殊设计,采用普通台面工艺研制出了基区厚度为8nm的负阻型HBT。该器件具有独特且显著的可变电压控制型负阻特性,其电流峰谷比大于1000,并伴有电流控制型负阻。

摘要：考虑到负阻晶体管NEGIT的特性，设计和制造了在光强度100lx和1000lx的白炽灯光照射下输出光电流可分别达到0．6mA和18mA的光电负阻晶体管PNEGIT。

摘要：介绍了集成光学芯片、光纤质量块简谐振子和可编程片上系统（SOPC）混合集成光学加速度计的设计方法。采用迈克尔逊干涉方法实现加速度信号光相位调制，综合交流相位跟踪零差补偿技术（PTAC）和合成外差信号解调技术（SHSD）补偿误差并解调出加速度信号，应用SOPC技术设计和实现数字信号处理（DSP）系统，同时实现DSP和智能化数据传输接口并行工作，使系统实时、线性地跟踪到加速度信号。系统设计灵敏度达4．8902V／g。实际测量灵敏度达4．62V／g，工作频带10～1066Hz。

摘要：给出了SOI近红外Si0.8Ge0.2/Si横向pin光电探测器的设计和制作过程。对制得的样管进行了典型光电参数的测试。测试结果表明,探测器的响应波长范围为0.4～1.3μm,峰值响应波长在0.93～0.97μm,峰值波长下响应度达0.38μA/μW,与Si光电探测器相比,出现明显的响应波长范围和响应峰值波长红移,光电性能达到了预先的设计目标。

摘要：设计了一种新型叉指状近红外 Si0 .8Ge0 .2 / Si pin横向光电探测器。采用半导体器件模拟软件 Atlas分别对该器件平衡条件下物理特性及反向偏压下电场分布、光电特性进行了模拟 ;对实际制作的光电探测器进行了测试 ,结果表明 :其波长响应范围为 0 .4～ 1 .3μm,峰值响应波长在 0 .93μm,响应度达 0 .3 8A/ W,寄生电容小于 2 .0 p F。实验结果和模拟结果符合得很好。其良好的光电性能为应用于近红外光的高速。

摘要：利用有限元法（FEM）分析了大横截面SOI（Silicon-on-insulator）脊型波导的本征模式分布,确定了脊型波导的单模条件。在保证单模传输的情况下,模拟了SOI微环谐振器中波导耦合器的耦合长度、功率耦合系数与波导尺寸和间距的关系。模拟结果表明：对于W=1μm,H=2μm的SOI脊型波导耦合器,耦合长度LC随波导间距d的增加而增大,功率耦合系数随之减小。在波导间距d〈0.8μm的情况下,耦合长度LC随着归一化脊高r的增加而增大,当d〉0.8μm时,耦合长度LC随r的增加而减小。模拟结果为SOI微环谐振器的设计和应用提供了理论依据。

摘要：4.3 LBT 的一般设计考虑和实验与理论的比较依照以上精确模型所给出的有关公式,LBT 的一般设计程序如下。在直流设计方面主要考虑三个特性参数,即:V_P,I_P,和 V_V,对于一给定的双极工艺,参数 I_S,β_(FM),β_(RM)和 N_A 为已知的,再加上固定的 I_(BO),则通过(4.16)和(4.17)两式可以求出 I_P 来。一般说,对一给定的 I_P 值,β_(FM)愈大所需的 I_(BO)愈小。V_P 则可通过(4.21)到(4.23)式计算出来。对于一特定的 V_V,用已知常数值和 I_(BO)值,通过(4.27)和(4.28)式可计算出 MOS 管的 Z/L 比值。一般来说,若 I_P,,V_P和 V_V 一旦给定,R_N 可通过近似关系 R_N≌(V_V—V_P)/I_P来进行估算。

摘要：基于标准CMOS工艺的n^＋源/漏区和p-sub,设计了一种楔形n^＋pn^＋结构的硅基发光二极管（Si-LED）阵列,并经UMC 0.18μm 1P6M CMOS工艺制备。测试结果表明,设计的Si-LED在0.9-1.5V范围内正常工作,与CMOS电路的电源电压兼容,其发光峰值波长在1 100nm附近;注入电流为390mA时,器件的发光功率可达1 800nW,平均功率转换效率为3.5×10^-6。由于工作电压低、发光功率高,设计的LED器件有望在光互连领域得到广泛应用。