摘要：文章在两类不同的验前分布情况下,用贝叶斯定理推断并联、待机和多数表决系统的可靠性置信下界。其解可供电子系统设计者参考。

摘要：在电子设备可靠性预计的传统方法中引入置信度概念 ,从而提出一种置信的可靠性预计方法。用这两种方法分别预计单元设备、表决系统和并联系统的可靠性并加以比较 ,结果表明 ,一种潜在的保守性的系统性的误差得以消除 ,因此置信方法能够更加准确地预计系统可靠性。

摘要：用(α,β)作为元器件失效率的验前信息,由贝叶斯(Bayes)定理和矩法拟合逐级推断出几种常见结构形式下的指数寿命型系统可靠性置信下限近似解。这里的参数α,β宜由专家磋商法间接确定,从而避免了零次失效这一敏感问题的发生。本方法既可用于系统可靠性预计,也可用于可靠性评估,它曾在地球同步卫星和返回式卫星的可靠性评估中得到应用。实践表明它是一种可行的卫星电子系统可靠性评估方法。

摘要：该文对威布尔分布的完全样本数据用极大似然法和配矩法估计其形状参数和特征寿命。当样本量较大时,估计得形状参数和特征寿命可近似看成已知量,进而给出威布尔分布的可靠性置信下限近似解。该文可用于指导航天器非电子设备或活动部件的试验设计。

摘要：对航天器用的火工装置，提出运用序贯检验方法制定其抽样试验方案以及运用贝叶斯方法评定其可靠性的建议。算例表明，文章所提建议适用于解决小子样成败型产品的可靠性设计、试验和验证等问题，对节省产品研制经费有重要意义。

摘要：采用了n+-GaAs衬底和硼离子注入的新型工艺实现了共振隧穿二极管(RTD)的平面化,解决了台面型RTD工艺的不足,得到常温电流峰谷比为2.51∶的平面型RTD(PRTD);利用高级设计系统ADS电路模拟和实验测量对PRTD与BJT串联单元的不同串联方式的电压-电流特性进行了深入分析。这一特性的研究对RTD与异质结双极晶体管(HBT)、MOSFET、高电子迁移率晶体管(HEMT)等三端器件的结合具有普遍意义。

摘要：鉴于已报道的平面共振遂穿二极管(PRTD)存在的缺点,文中提出了一种新的平面RTD器件结构.以n+GaAs代替半绝缘GaAs衬底,利用硼离子注入产生的非晶化作为RTD器件的电隔离,成功设计研制平面型RTD和由其构成的单-双稳转换逻辑单元,此种结构可适用于以输出端作为公用端的所有电路.

摘要：在研制RTD经验的基础上设计并研制成功栅型GaAs基共振隧穿晶体管(GRTT).文中对该器件的材料结构设计、器件结构设计、光刻版图设计、器件制作、参数测量与分析等进行了系统的描述.所研制出的GRTT最大PVCR为46,最大跨导为8mS,为进一步改善器件性能和参数奠定了基础.

摘要：对RTD/HEMT串联型共振隧穿三极管进行了设计和研制.测量结果表明:最大电流峰谷比为17.6∶1,栅压对峰值电压调控能力在1.5～7.7范围内,-3dB截止频率为4GHz,此种器件可与HEMT在结构和工艺上兼容,可应用于HEMT高速电路.

摘要：综合分析了各种不同结构的共振隧穿晶体管(RTT),将其等效为一反相器电路,建立了一个统一的RTT模型.在此模型中,按照处理反相器的方法来分析RTT的I-V特性,对各种不同类型的I-V特性给出了统一的解释.该模型所导出的结果与相应的电路模拟和电路模拟实验结果相一致.此RTT反相器统一模型可成为分析和设计各种RTT器件的有力工具.