摘要：通过运用ARCGIS9.3分析城市安全空间,筛选城市绿地避难场所,根据避难场所的规模确定其服务半径从而计算出加权半径和加权距离。通过运用OVD和WVD方法分别得出避难场所的责任区。结果表明,相比于传统的OVD方法确定的避难场所责任区间的空间关系,使用WVD方法划分的避难场所责任区的覆盖范围更直观,划分的结果也更为合理。

摘要：使用AHP法对建阳市现状公园的避难机能进行量化分析,构建评价模型,选择评价指标,构造判断矩阵计算以及线性加权模型得出建阳市现状五个公园的得分。通过分析其得分以及其δ值,得出建阳市现状公园存在较大的缺陷,并对其提出规划改造意见。

摘要：用ARCGIS 9.3空间数据管理和空间数据分析工具,对三明市建成区绿地应急避难场所的避难能力进行分析。结果表明:三明市106块绿地中,仅47块处于城市安全区范围内,总面积为126.32 hm2;建成区的有效避难面积共计84.65 hm2,城市人均有效避难面积为2.72 m2,但5个组团叠加相应的人口数量后,人均有效避难绿地的比率为1∶2∶2∶8∶5;建成区内,以紧急避难场所的服务半径500 m提取的缓冲区所覆盖的居民区面积为2311 hm2;避难场所空间分布上较不均匀,局部区域低于平均值高达50%以上;通过对灾后3、5、10 min逃生距离内的绿地分布分析,仍有5.4%的人口未处于避难场所的覆盖范围内,各组团间可达性较弱。

摘要：小说教学应关注小说的知识,注重小说的言语表达、体验文章的情感、调动学生的想象和情感。然而,仅仅围绕着小说的环境、人物、情节、主题这样的套路展开,难免会削弱小说的艺术魅力。每篇小说都有其独特之处,而叙述和语言是小说的本质。聚焦小说的叙述视角和叙述语言,丰富学生的阅读体验,应成为小说教学的核心内容。

摘要：针对IEEE 802.11ac多输入多输出(MIMO)正交频分复用(OFDM)系统,设计一种支持8组128点数据并行处理的低功耗FFT/IFFT处理器,利用RAM实现对输入和输出数据的顺序调整,使得处理器可以与MIMO-OFDM系统中其他模块直接进行数据通信。该处理器通过Verilog语言实现,采用TSMC 65 nm工艺库进行逻辑综合,结果表明其在0.9 V,125℃的工艺库最差工作条件下可达到100 MHz工作频率,与利用寄存器延时单元实现输入和输出数据顺序调整的FFT/IFFT处理器相比,总的门数减少了32.98%,功耗降低了79.4%。

摘要：针对IEEE 802.11ac MIMO-OFDM系统设计了一种8通道128点FFT/IFFT处理器,该处理器采用MRMDC结构,支持8通道数据的并行处理,有效降低了硬件复杂度和提高了数据吞吐率.提出的数据输入和输出顺序调整结构,可以实现数据自然顺序的输入和输出,从而实现了和MIMO-OFDM系统中的其他模块直接进行数据传递.FFT/IFFT处理器由Verilog语言实现,并用Synopsys公司的Design Compiler在SMIC 0.18μm CMOS工艺库下进行逻辑综合,内部数据和旋转因子的宽度采用12bit,最高工作频率可达100 MHz,数据吞吐率可达1Gb/s.

摘要：本文对决定场助InP/InGaAsP半导体光电阴极量子效率的诸因素进行了详细分析。基于电流连续性方程和量子力学的隧道效应,对阴极吸收层中的电子传输、发射层中的电子转移以及表面电子逸出几率等过程进行了定量计算,得到了在不同场助偏压时,波长与量子效率的关系曲线。计算结果表明,在场助偏压的作用下,可将半导体阴极在0.9—1.25μm范围的量子效率提高两个数量级以上。本文的计算结果对场助半导体阴极的结构设计及工作条件的优化具有一定的帮助。

摘要：采用双曲型的渐变函数,同时考虑加偏压时引起的阴极表面空间电荷区的变化,对场助InP/TnGaAsP/InP半导体光电阴极异质结的能带结构进行了详细的分析和计算,得到了在不同材料参数时,异质结能带结构的分布曲线.计算结果指出了达到理想的异质结传输效率时,发射层的厚度和掺杂浓度、吸收层的掺杂浓度、异质结界面处渐变区宽度以及场助偏压应满足的条件.它有助于场助半导体光电阴极的结构设计和材料参数的选择.

摘要：本文首先简述了1.3μm场助TE光阴极InP(衬底)/In_(1-x)Ga_xAs_yP_(1-y)(光吸收层)/InP(发射层)/Ag/CsO的工作原理,并对其能带结构进行了计算,得到了In_(1-x)Ga_xAs_yP_(1-y)(光吸收层)/InP(发射层)的势垒高度、掺杂、InP发射层厚度、组份、渐变区宽度,偏压及耗尽层宽度间的定量关系。并由此出发,对光阴极各参数的设计进行了分析讨论。

摘要：本文简要阐述了近红外场助光阴极的原理及对外延材料的要求。利用液相外延工艺并采用独特的掺杂技术生长出了用于近红外光电阴极的InP/InGaAsP 异质结结构。显微分析。x射线双晶衍射、电子探针、电化学C-V等测试结果表明外延层的结晶质量及电学性能符合设计的特殊要求,在此基础上制作的场助光电阴极量子效率在1.20μm处为3.5×10^(-4),其响应波长可达1.25μm。