摘要：目的提高蒙砂玻璃的雾度以及调控其表面的亲疏水性。方法通过在酸蚀液中添加不同浓度的KCl,可控调节蒙砂玻璃表面微纳结构,并利用光学轮廓仪对表面形貌和粗糙度进行表征分析。通过分光光度仪对蒙砂玻璃的雾度、透过率进行测试,并使用接触角测量仪对其亲疏水性进行分析评价。结果通过调节酸蚀液中KCl的加入量,得到具有不同表面微结构及表面粗糙度的蒙砂玻璃。酸蚀液中KCl的加入,可以实现不损失玻璃透过率的同时,将蒙砂玻璃的雾度提高1个数量级,从4.23%提高至73.11%。酸蚀液中加入质量分数20%的KCl,可实现蒙砂玻璃表面较好的亲水性,接触角达20.9°,而玻璃原片的接触角仅为47.5°。在蒙砂玻璃表面涂覆十三氟辛基三乙氧基硅烷,100℃下热处理30min,可实现蒙砂玻璃较强的疏水性,对水的接触角达到124.3°。结论酸蚀液中加入KCl可以实现酸蚀蒙砂玻璃表面微结构的构建,并且通过控制KCl的加入量,提高蒙砂玻璃的透过率和雾度,实现较好的亲水性。用低表面能物质十三氟辛基三乙氧基硅烷成功对具有一定表面微结构的蒙砂玻璃进行修饰,将蒙砂玻璃由亲水性变为较强的疏水性。

摘要：采用直流射频耦合磁控溅射技术,以氧化锌掺铝(AZO,2%Al_2O_3,质量分数)陶瓷靶为靶材,在玻璃基片上低温沉积AZO薄膜,并采用质量分数为0.5%的HCl溶液刻蚀制备绒面AZO薄膜,通过XRD、SEM、分光光度计、霍尔效应测试系统、光电雾度仪等设备重点研究工作压强对直流射频耦合磁控溅射制备AZO薄膜的晶相结构、表面形貌、光电性能以及后期制绒的影响。研究表明,直流射频耦合磁控溅射可以在低温下制备性能优异的AZO薄膜,且随着工作压强的减小,致密性增强,光电性能改善,后期刻蚀得到具有良好陷光作用的绒面结构。在工作压强0.5 Pa下,低温制备的AZO薄膜电阻率达到3.55×10^(-4)Ω·cm,薄膜可见光透过达到88.36%,刻蚀后电阻率为4.19×10^(-4)Ω·cm,可见光透过率89.59%,雾度达24.7%。

摘要：采用直流磁控溅射系统在玻璃衬底上制备了氧化铟锡(ITO)薄膜。通过X射线衍射仪、扫描电子显微镜、分光光度计、Hall效应测试系统研究了热退火与原位生长、衬底温度、直流溅射功率对薄膜结构、表面形貌以及光电性能的影响。结果表明:与室温生长并经410℃热退火后的薄膜相比,410℃原位生长可获得光电性能更好的薄膜;随着衬底温度的增加,电阻率单调减小,光学吸收边出现蓝移;在溅射功率为85 W时薄膜的光电性能达到最佳。在衬底温度为580℃、溅射功率为85 W的工艺条件下,可制备出电阻率为1.4×10^(–4)?·cm、可见光范围内平均透过率为93%的光电性能优异的ITO薄膜。

摘要：采用直流反应磁控溅射法制备了具有不同电致变色性能的NixOy薄膜。通过X射线衍射（XRD）、X射线光电子能谱（XPS）、场发射扫描电子显微镜、电化学工作站、紫外-可见-红外分光光度计研究了薄膜物相、价态组成、微观结构和电致变色性能。研究表明：金属镍靶直流反应溅射所制备的薄膜结晶状态与表面微结构对氧流量反应敏感,即在很小的氧流量变化范围内薄膜呈现出不同的晶相与表面形貌;氧化镍薄膜在不同的制备条件下展现出了独特的表面微结构,XRD结果显示薄膜成分为NiO,而通过薄膜元素XPS分析发现其中的Ni并非只有单纯的二价,三价的Ni亦存在,且Ni2＋/Ni^3＋之比约为2：1。最终氧流量、溅射压强、溅射功率分别为1.6 mL/min、2.0 Pa、50 W时获得较优变色性能的NixOy薄膜,其可见光区最大电致变色幅度达到约55%。

摘要：纳米晶ZnS薄膜具有带隙宽度大、光学透过率高、介电常数低、化学稳定性好等特点,在透明导电膜、铜铟镓硒(CIGS)薄膜太阳能电池、发光器件、功能玻璃等领域表现出巨大的应用潜力。综述了纳米晶ZnS薄膜常用的制备方法,如磁控溅射法、化学浴沉积法、真空蒸发法和化学气相沉积法,同时还介绍了纳米晶ZnS薄膜的掺杂改性研究及其在相关领域的应用进展。

摘要：采用未经使用和经长时间使用后的新旧掺铝氧化锌(AZO)圆形平面陶瓷靶,直流磁控溅射制备AZO薄膜,基片分别正对靶材水平放置和立在屏蔽罩旁竖直放置,并通过X射线衍射仪、霍尔效应测试系统、光学椭偏仪等设备分析其结构和光电性能,系统地研究靶材刻蚀对磁控溅射制备AZO薄膜性能空间分布的影响。研究表明,氧负离子是造成靶材刻蚀导致薄膜性能空间差异的主要原因,对于水平放置径向分布的AZO薄膜,采用新靶制备时,靶材刻蚀位置处,氧负离子对薄膜损伤作用最大,(002)晶面间距增大,电学性能最差,而在正对靶中心及其他位置处电学性能较佳,随着靶材刻蚀的加深,氧负离子对正对靶中心位置处的薄膜损伤作用最大,结晶性能和电学性能最差;而对于竖直放置纵向分布的AZO薄膜,由于受氧负离子作用弱,采用新旧靶制备的薄膜性能分布规律相似,薄膜电学和结晶性能较水平放置均有所提升,某些位置处电阻率可达(7~8)×10^(-4)Ω·cm,但可见光透过率有所下降。

摘要：透明导电氧化物(TCOs)薄膜近来发展迅速,旨在研究GZO薄膜溅射功率变化对其结晶性能、表面形貌、电学性能以及光学性能的影响。研究结果表明,在采用直流磁控溅射制备GZO薄膜时,存在一个较佳溅射功率范围,有利于促进GZO薄膜粒子扩散迁移,生长及结晶性能的提升,薄膜内载流子浓度和霍尔迁移率的增加,优化薄膜电学性能。同时GZO薄膜表面由蜂窝状形貌转变为颗粒状形貌,薄膜透光性能相对较好。

摘要：二硫化钼具有类似石墨烯的层状结构,是一种被广泛研究的过渡金属硫族化合物。层状二硫化钼是一种具有较高带隙的半导体,其具有好的光致发光特性以及光电子学特性,在晶体管、光伏、传感器件以及光催化分解水制备氢气等领域具有潜在的应用价值。目前,较高质量的二硫化钼层状薄膜主要是通过高温化学气相沉积法制备,一般制备温度较高,在850~1000℃。本实验利用化学气相沉积法分别在650℃、675℃、700℃、725℃和750℃条件下制备层状二硫化钼薄膜。通过对不同温度下制备的样品进行光学形貌测试及拉曼光谱分析,得出在较低温度下温度对制备二硫化钼薄膜的形貌和单个片层的尺寸具有显著的影响,其中在725℃时制备的层状薄膜形貌和尺寸都较好。本工作为在较低温度下制备出高质量层状MoS2薄膜打下了较好的基础。

摘要：采用直流反应磁控溅射制备了具有优异电致变色性能的WO3薄膜。通过对成膜参数的调控,实现了低功率和短溅射时间的制膜制度,获得了较宽的工艺范围。通过X射线衍射仪、场发射扫描电子显微镜、光学轮廓仪、电化学工作站、紫外-可见-红外分光光度计研究了薄膜的物相、微观结构、厚度、电致变色性能。研究表明:在溅射功率为50 W,溅射压强为2.0 Pa,反应气体流量为20 sccm时所制得的薄膜性能最为优越。所制备薄膜具有较短的变色响应时间和大幅度的变色调制幅度,其对可见光变色调制幅度达到80%。

摘要：本文采用直流磁控溅射沉积系统在玻璃基底上沉积镓掺杂氧化锌(GZO)薄膜,将溅射功率从120W调整到240W,步长为30W,研究功率变化对GZO薄膜的晶体结构、表面形貌、光学性能和电学性能的影响。结果表明,溅射功率对GZO薄膜电阻率有显著的影响。溅射功率为210W时薄膜呈现最低电阻率为3.31×10^(-4)Ω·cm,可见光波段平均光学透光率接近84%。随着溅射功率的增加,薄膜表面形貌和生长形态发生较大变化,并直接得到具有一定凸凹不平的微结构,GZO薄膜的致密性先增加后降低。