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1.3μm无致冷AlGaInAs/InP应变补偿量子阱激光器设计与制作: 收藏
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引用; 《光子学报》2002年第2期31卷 191-195页; 作者：马宏易新建金锦炎杨新民李同宁华中科技大学光电子工程系武汉430074 华中科技大学激光技术国家重点实验室武汉430074 武汉邮电科学研究院国家光电子工艺中心武汉分部武汉430074; 基于半导体量子阱激光器的基本理论 ,设计了合理的 1 .3 μm无致冷 Al Ga In As/ In P应变补偿量子阱激光器结构 ,通过低压金属有机化学气相外延 ( LP-MOVPE)工艺在国内首次生长出了高质量的 Al Ga In As/ In P应变补偿量子阱结构材料 ...; 基于半导体量子阱激光器的基本理论 ,设计了合理的 1 .3 μm无致冷 Al Ga In As/ In P应变补偿量子阱激光器结构 ,通过低压金属有机化学气相外延 ( LP-MOVPE)工艺在国内首次生长出了高质量的 Al Ga In As/ In P应变补偿量子阱结构材料 ,用此材料制作的器件指标为激射波长 :1 2 80 nm≤λ≤ 1 3 2 0 nm,阈值电流 :Ith( 2 5℃ )≤ 1 5m A,Ith( 85℃ )≤ 3 0 m A,量子效率变化 :Δηex( 2 5℃～ 85℃ )≤ 1 .0 d B,线性功率 :P0 ≥ 1 0 m; 来源：详细信息评论

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