摘要：　采用三相全帧帧转移结构和常规的CCD工艺,设计并研制了一种高速摄像用256×256元高帧频可见光CCD成像器件。器件光敏元采用MOS结构,尺寸为10μm×10μm,4信号抽头输出,占空比100%。测试结果表明,器件工作波长为0.4～1.1μm,光灵敏度为0.05lx(峰值波长处,积分时间40ms),帧速为500帧/秒,动态范围大于等于54dB,响应非均匀性小于等于2%。

摘要：强光照射时,CCD图像传感器摄取的图像中会出现光晕(blooming)和弥散(smear)现象,严重影响成像质量。文章介绍了一种能够抑制这些光晕现象的抗晕CCD,详细阐述了其抗晕结构的设计和制作方法,采用该方法制作的CCD能够达到500倍的抗晕能力。

摘要：基于一种光接收器件的电路结构,利用硅基BJT工艺对光电二极管和接收电路进行了设计。通过引入辅助开关电路以及双结光电二极管,提高了输出晶体管的关断速度。测试结果显示,该光接收电路在870nm波长下的数据速率可达到10MBd。