摘要：“半导体加工技术”是微电子专业的重要课程,针对高校缺少半导体集成电路芯片相关实践教学的痛点,结合虚拟仿真教学实验,以第一视角进行半导体加工技术中相关工艺的熟悉、操作和设计等,结合线下课程的教学,有效提升教学效率。使学生对半导体芯片的关键工艺及工艺流程有更直观的认识和了解,有利于学生的探究性学习、自主学习和创新实践,有利于提高教学效果。

摘要：基于自主研发的InP基高电子迁移率晶体管工艺设计并制作了一款W波段单级低噪声放大单片毫米波集成电路.共源共栅拓扑结构和共面波导工艺保证了该低噪声放大器紧凑的面积和高的增益,其芯片面积为900μm×975μm,84~100 GHz频率范围内增益大于10 dB,95 GHz处小信号增益达到最大值为15.2dB.根据调查对比,该单级放大电路芯片具有最高的单级增益和相对高的增益面积比.另外,该放大电路芯片在87.5 GHz处噪声系数为4.3 dB,88.8 GHz处饱和输出功率为8.03 dBm.该低噪声放大器芯片的成功研制对于构建一个W波段信号接收前端具有重要的借鉴意义.

摘要：半导体器件是集成电路的核心基础,器件特性是器件建模和集成电路设计的重要依据,半导体器件测试成为集成电路相关领域人才必须掌握的重要实践能力。针对实际测试实验存在设备和耗材昂贵、测试过程耗时长等问题,通过搭建半导体器件交直流特性测试系统的虚拟模型,并基于半导体器件科研测试数据反哺教学,学生通过对器件在不同偏置下不同特性的虚拟测试,巩固半导体器件理论知识,掌握测试设备操作技能,全面提升动手实践能力。

摘要：针对InAlAs/InGaAsInP基HEMTs提出了一种16参数小信号拓扑结构.拓扑结构中引入栅源电阻(R_(gs))表征短栅沟间距引起的栅泄漏电流效应.另外还引入输出跨导(gds)和漏延迟(τ_(ds))描述漏端电压对沟道电流的影响以及漏源电容(C_(ds))引起的相位变化,从而提高了S_(22)参数拟合精度.外围寄生参数通过open和short拓扑结构计算得出,本征部分利用去除外围寄生参数后的Y参数计算得出,最终模型参数值经过优化以达到最佳拟合状态而确定.结果表明,s参数和频率特性的仿真值与测试数据拟合程度很好,R_(gs)和τ_(ds)的引入降低了模型误差.准确合适的InP基HEMTs小信号模型对于高频电路设计非常重要.

摘要：采用fT=214 GHz,fmax=193 GHz的InGaAs/InP异质结双极型晶体管工艺,设计了一款基于时钟驱动型反相器的动态二分频器.该分频器工作频段为60～100 GHz,但由于测试系统上限频率的限制,只能测出62～83 GHz的工作范围.在-4.2 V和-5.2 V的单电源直流偏置下该分频器的功耗分别为596.4 mW、1060.8 mW.此分频器的成功制作对于工作在W波段锁相环的构建有较大的意义.

摘要：模拟电子技术课程是一门偏向于应用类的电子专业基础课,教学内容较多且难度较大。随着Multisim软件的应用,很好地弥补了传统实验课程的不足,教师可以在讲课过程中实时演示实验。因此任课教师需要设计基于Multisim的实验内容来满足教学要求。以负反馈放大电路为例,阐述了负反馈放大电路动态参数的仿真测量,并验证了负反馈对动态参数性能的影响。