摘要：设计制作了一台用同步旋转起偏器和检偏器（转速之比为１：２）测量方式的波长扫描型椭偏仪。由于附加了一个固定偏振器以消除光源的部分偏振性，实验信号包括一个直流成分和四个交流成分，其频率分别为ω０，２ω０，３ω０和４ω０，利用四个交流成分中的任意三个便可以得到材料的复介电函数，实验结果的自洽度优于０．５％。并详细介绍了系统的设计、定标和校正过程，利用该椭偏仪对Ａｕ和ＣｄＴｅ样品复介电函数的测量结果与其它报道一致。

摘要：用Raman光谱测量了高剂量B^+注入后,经不同激光功率退火的SOM上的硅膜.硅膜的晶化和杂质的激活,在光谱上得到充分的反映.满足临界条件的激光退火工艺,可使SOM达到制作压敏器件的要求.设计了两种不同的样品区域,来分辨晶化与重掺各目对Raman散射的贡献.对光谱特征随退火功率的变化以及Fano线形问题,作了初步的分析讨论.

摘要：一、引言 超高反压大功率晶体管DF104是电视机的重要电子器件。提高其质量和合格率是发展国产电视机的重要课题之一。在严格的器件设计和工艺条件下,采用低补偿度的优质硅单晶材料,能有效地提高这晶体管的击穿电压及其合格率,从而降低其成本。 实验用的衬底硅单晶片是电阻率大体相同(P≈80Ωom)的N-Si。实验时,从同一硅单晶锭切下硅片,用55K低温霍尔法和迭代法抽样检测其杂质补偿度K,再将和抽样检测样品相邻的硅片,经严格抛光清洗之后投片生产晶体管。每次生产条件严格保持相同。对生产出的晶体管,统测其耐压BV_(ceo)和BV_(cbo)及其合格率ξ,η等。合格率ξ和η分别定义为耐压≥某额定耐压BV_(ceo)和BV_(cbo)的成品数对总成品数之比。