摘要：随着科学技术的快速发展,智能家居的概念开始走向大众,而物联网的出现更好地将智能家居推到了一个新的高度。本文研究基于物联网的智能家居系统,首先介绍智能家居和物联网,然后介绍了物联网在智能家居中的应用。本文设计的智能家居系统能够实现监控、报警、控制等功能,体现出智能家居的方便性和实用性,以及广泛的应用前景。

摘要：通过对板式家具封边工序中直线封边机运行情况进行调研,分析归纳了影响封边效率的因素,在研究封边机循环设备特点的基础上,结合某公司实际情况,提出回转线设计方案,并对改进后封边设备应用效果进行评价,为板式家具提高封边工序效率提供参考。

摘要：通过对家具企业原料仓管理现状以及自动仓储系统在家具企业运用情况的调研,分析了目前家具原料仓管理中存在的问题及自动仓储系统在原料仓的应用情况,探讨了如何构建自动仓储管理系统及其信息管控过程。在此基础上,提出自动仓储在原料仓的实施过程,包括核心技术和实施条件,并对自动仓储系统在家具企业原料仓的应用效果进行评价,以期为家具企业提高原料仓的管理提供借鉴作用。

摘要：为了探讨大规模定制家具企业销售过程管理方式的新思路,从信息采集与处理技术对家具销售过程的管理功能入手,分析了信息采集与处理技术对大规模定制家具销售的影响,并详细解读了客户需求、客户订单生成、客服管理过程中的信息采集与处理方法。结果形成了大规模定制家具销售各环节的信息采集与处理技术和基本流程,在此基础上,搭建了大规模定制家具销售过程中信息采集与处理技术的架构平台,包括订单事务提醒与服务过程、订单进程控制过程和订单事务处理执行过程等的信息采集与处理。研究结果对家具企业销售管理模式创新,具有实际应用价值和借鉴作用。

摘要：介绍了在0.18μm逻辑工艺平台上全新设计的超高压锗硅异质结双极晶体管(SiGe HBT),该器件改变了外延的一维纵向集电区,而采用了通过离子注入掺杂的"L形"二维集电区结构,集电区包括本征基区下方的纵向集电区和场氧底部横向集电区。该器件可在同一工艺中通过版图中横向集电区长度的变化实现不同的击穿电压,因此可制作超高压SiGe HBT,并实现不同击穿电压的超高压SiGe HBT阵列。详细阐述了该器件的制作工艺,并对器件的直流和射频性能作了系统的总结和分析。

摘要：报告了0.18μm高速N型锗硅异质结双极晶体管(SiGe HBT)的器件结构和制作工艺。分析了SiGe HBT器件的直流和射频特性,其截止频率为110 GHz,击穿电压为1.8 V,电流增益为270。研究了集电区掺杂及锗硅碳外延基区的厚度与掺杂工艺条件对器件特性的影响,并给出最优化的工艺条件。

摘要：介绍了一种集成在BiCMOS工艺的p-i-n开关二极管的器件。它由在STI下面的n型赝埋层作为p-i-n的n区,锗硅npn异质结双极型晶体管的重掺杂外基区作为p-i-n的p区。同时新开发了穿过场氧的深接触孔工艺用于赝埋层的直接引出,并采用p-i-n注入用于对i区进行轻掺杂。借助半导体工艺与器件仿真软件,得到了有源区尺寸、赝埋层到有源区的距离、p-i-n注入条件等关键工艺参数对p-i-n性能的影响。最后优化设计的p-i-n二极管,其在2.4 GHz频率下的指标参数,如插入损耗为-0.56 dB,隔离度为-22.26 dB,击穿电压大于15 V,它达到了WiFi电路中的开关器件的性能要求。