摘要：在现有的微通道板皮料玻璃配方的基础上,经过一系列的制作工艺设计和改进,最终制作出了具有合适性能的单螺旋通道的通道电子倍增器;之后搭建了以盘香型钽灯丝作为输入电流的通道电子倍增器(Channel Electron Multiplier,CEM)模拟模式测试装置和以紫外发光二极管结合金阴极作为输入信号的CEM脉冲计数模式测试装置,对该器件的综合性能参数进行全面的测试与评价;测试结果表明:本实验室自行研制的单螺旋通道的通道电子倍增器的模拟增益和脉冲增益分别为1×10^(4)~1×10^(6)和1×10^(7)~1×10^(8),增益值随着工作电压的升高而增加,输出脉冲的上升时间为2~3 ns,性能接近国外同行的同类器件。

摘要：介绍了一种自主研制的新型电荷灵敏型三级放大器,其电路设计主要采用ADA4817高速低噪声集成运算放大芯片,该三级放大器噪声低、稳定性好、电路结构简单、性价比高、检修更换方便,可以不失真地放大上升时间在ns级的信号,放大器输出信号质量优异,可配合后续的多道分析器MCA8000D读取微通道板(microchannel plate,MCP)组件或单通道电子倍增器(single-channel electron multiplier,CEM)的单光电子谱,测试结果表明:自主设计的ADA4817型放大器在一定的方波标定脉冲信号下,其基线的宽度小于2 m V,上升沿时间约为800 ns,幅值约为40 m V,性能接近或略优于A250型放大器,可以更好地配合后续的多道分析器MCA8000D进行输出波形的分析和处理,完全满足MCP或CEM探测器的脉冲性能测试需求。

摘要：分离式打拿极电子倍增器(Discrete Dynode Electron Multiplier,DDEM)作为一种真空电子倍增器件可以实现对电子、离子和光子等粒子的探测,具有增益高、寿命长、动态范围宽、耐轰击等优点,广泛应用于材料分析、高能物理、航空航天等领域。传统DDEM一般由铜铍或银镁合金作为基底材料,经过氧化激活工艺制备而成,DDEM的性能依赖于基底材料的性能,由于氧化激活工艺复杂且合金材料的稳定性难以控制,造成后续制作出的打拿极性能难以保证。抛弃传统复杂的合金氧化工艺,采用原子层沉积(Atomic Layer Deposition,ALD)技术制备二次电子发射系数(Secondary Electron Yield,SEY)高而且稳定的氧化铝薄膜(SEY最大值为4.2),设计了一种盒栅式结构的DDEM,搭建了真空设备实现DDEM关键技术参数的测试评价,在直流状态下DDEM的增益可达2×10^(6),脉冲状态下增益可达1×10^(8),验证了ALD技术研制DDEM的可行性,解决了传统DDEM打拿极发射层材料严重依赖于金属合金成分和高温氧化激活工艺的难题,为今后研制更优性能的DDEM提供了良好的实验基础和新的技术方案。

摘要：结合具体工程实例 ,从配合比设计及施工工艺、方法等方面 ,介绍了混凝土裂缝的控制方法和措施 ,实践证明 ,控制措施的应用取得了满意的效果。

摘要：为了满足大尺寸微通道板(MCP)的性能测试和电子清刷除气处理,设计了一种电子枪,可以产生尺寸大、均匀性好、动态范围宽的平面电子源。该电子枪采用功函数较低的钽丝,加工成盘香式结构,通过外加电场,使得出射后打到微通道板输入面上的电子源束流密度可调、均匀性优于90%,12 h内的稳定性优于±0.1μA,动态范围达到7个数量级(10^-12~10^-5 A),可以实现对直径为50 mm的微通道板进行精确测试和严格的电子清刷处理,也可以应用于其它领域。