文献检索-宁波市创意产业特色资源库

限定检索结果

GaN基发光二极管外延中p型AlGaN电子阻挡层的优化生长: 收藏
分享
引用; 《物理学报》2011年第1期60卷 473-478页; 作者：王兵李志聪姚然梁萌闫发旺王国宏中国科学院半导体研究所半导体照明研发中心北京100083; 本文利用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)方法系统地研究了p-AlGaN层掺杂机理及优化设计生长.明确了生长温度、压力及TMAl的流量对AlGaN层Al组分的影响关系,并给出了各自不同的机理与作用.研究发现,Al组分介于10%—30%之间能够很好地将...; 本文利用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)方法系统地研究了p-AlGaN层掺杂机理及优化设计生长.明确了生长温度、压力及TMAl的流量对AlGaN层Al组分的影响关系,并给出了各自不同的机理与作用.研究发现,Al组分介于10%—30%之间能够很好地将电子限定在量子阱区域并保持高的材料晶体质量.发展了一种新的生长技术来克服p-AlGaN层掺入效率低下和空穴注入不足的问题.优化条件下生长的p型AlGaN电子阻挡层很大地提升了InGaN/GaN基LED的输出光功率.; 来源：详细信息评论

限定检索结果