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一种片上多电压输出LDO电路: 收藏
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引用; 《微电子学》2023年第5期53卷 877-883页; 作者：闫容赫张丙可常兴宏王彬孔谋夫电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室成都610054 北京智慧能源研究院先进输电技术国家重点实验室北京102209; 提出了一种具有较高增益和稳定性的片上低压差线性稳压器(LDO),可为高速变化的逻辑和驱动电路提供快速响应的电压。该两级级联输出的LDO基于0.18μm BCD工艺设计,工作在9.5~15.5 V宽电源电压范围内,并且具有较好的相位裕度、较高的响应...; 提出了一种具有较高增益和稳定性的片上低压差线性稳压器(LDO),可为高速变化的逻辑和驱动电路提供快速响应的电压。该两级级联输出的LDO基于0.18μm BCD工艺设计,工作在9.5~15.5 V宽电源电压范围内,并且具有较好的相位裕度、较高的响应速度以及较好的线性调整率,能够满足芯片内部多个电源轨的供电需求。采用Cadence仿真并进行了流片试制,仿真和测试结果表明,该LDO主环路在全负载范围内具有较好的相位裕度,输出电压纹波较小。在输入电压为9.5~15.5 V时,两级LDO的输出电压分别稳定在4.53 V和1.80 V,具有较好的线性调整率。LDO用于GaN驱动芯片时,能稳定地为逻辑和驱动等模块提供电源电压。; 来源：详细信息评论

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