摘要：通过设计InGaN多量子阱LED有源区的不同结构,研究了载流子复合机制对LED调制速度的影响。结果显示,由于窄量子阱LED的载流子空间波函数重叠几率更高,且电子泄露效应更显著,所以复合速率更快,调制带宽更高。In组分为1%的InGaN量子垒LED可提高辐射复合的权重,使得调制带宽高于GaN量子垒LED;In组分为5%时,电子泄露和俄歇复合占据主导地位,且由于这两种复合机制复合速率很快,所以调制带宽显著提高。

摘要：为了实现紫外发光二极管(Ultraviolet Light-Emitting Diodes,UV-LED)表面消毒器设计的优化、高效、智能化目的,研究建立了UV-LED表面消毒辐射场的数学模型,并进行了试验验证。根据该数学模型,编写了VBA(Visual Basic for Applications)程序,对辐射场进行了模拟和分析。结果显示,辐射模型的计算值与实测值接近,试验验证了辐射模型的可行性。试验进行了应用举例,当照射距离与灯间距的比值为0.4时,选择最大发光角90°的UV-LED可使辐射场最优化;当照射距离与灯间距的比值为0.8和1.6时,对应的最优选择分别是45°和30°的UV-LED。数学模型和相关计算方法为优化设计紫外线表面消毒设施提供了模拟、优化的有效工具。

摘要：为了获得高效率的AlGaN基深紫外发光二极管,提出了具有渐变量子垒的氮极性结构来调控载流子的传输.通过氮极性结构在p型电子阻挡层中形成的反向极化诱导势垒,改善空穴注入和电子泄漏问题.另外研究了不同的渐变方向和渐变程度对器件性能的影响.模拟结果显示,在12nm的AlGaN量子垒上沿着(000-1)方向从Al组分0.65线性渐变到0.6,可以有效平衡量子垒的势垒高度和斜率,从而极大的增强空穴注入,光输出功率相较于传统结构提高了53.6%.该设计为电子泄漏和空穴注入问题提供了直接而有效的解决方案,在实现更高效率的深紫外发光二极管方面显示出广阔的前景.

摘要：紫外发光二极管(UV-LED,200~400 nm)半导体固态光源具有节能环保、快速开启、体积轻便等特点。随着UV-LED性能的不断提升,未来有望取代传统的紫外汞光源。介绍了紫外发光二极管UVC段(UVCLED,200~280 nm)技术的发展状况、存在的问题及技术提升的路线,比较了国内外UVC-LED水产领域研究成果,并基于水产养殖业微生物病害种类,给出了杀灭有害微生物所需要剂量的计算方法和UVC-LED在水产业微环境实际应用的设计建议;对未来UVC-LED达到大规模应用杀菌消毒的发展趋势做了展望,以期对水产养殖业绿色持续发展有所帮助。