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Si基InGaN可见光器件研究进展
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《金属世界》2025年 第1期 13-24页
作者：刘力玮 肖嘉滢 文灿 周楚翘 曹怡诺 林正梁 李彤彤 闫梓欣 王文樑华南理工大学材料科学与工程学院广东广州510641 
Si基InGaN材料因其高电子迁移率,高抗辐射,带隙可调等光电特性,在可见光通信领域展现出良好的潜力。但其发展依旧面临着材料位错密度高、器件性能差及集成度低等问题。为了解决上述问题,研究人员在材料性能,器件设计与集成等方面开展系...
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