摘要：为了满足市场对显示产品高分辨率的要求,需要从产品的设计和工艺各个方面进行优化,其中过孔尺寸和线宽两个因素对阵列基板分辨率影响最大,本文通过相移掩模技术可以实现对过孔尺寸的精确控制,通过在普通过孔上增加一定厚度和透过率的相移层,并对各种参数下过孔的光透过率进行模拟分析,可以获得不同相移层参数对过孔特性的影响,最后提出一种可以获得稳定微小过孔的方法。结果表明,通过对相移层透过率和宽度的控制,可以获得对曝光光强不敏感的稳定微小过孔,曝光量增大一倍乃至数倍的过程中,过孔尺寸始终保持稳定,提高了工艺容忍度。对于模拟中过孔尺寸可以小于设备的4μm分辨极限。通过减小过孔尺寸,可以有效提升TFT显示产品的开口率,实现产品对高分辨率的要求。

摘要：手指滑动ADS(Advanced Super Dimension Switch)液晶面板的L255画面时,由于按压导致的液晶分子形变和电场作用,滑动位置亮度会降低,表现为留下发暗的按压的痕迹。如果该痕迹在按压5 s后不能恢复,我们称之为划痕Mura(Trace Mura)。本文通过对比5种不同像素设计的液晶面板的滑动按压实验的结果,得到了像素电极设计、驱动电压对Trace Mura的影响;进一步模拟分析液晶分子状态,得到判断不同像素设计的Trace Mura风险的模拟方法。主要结论如下首先,像素电极尾部设计对于Trace Mura改善方面,弧角设计优于切角设计,切角设计优于开口设计;像素电极间距(Space)越小,Trace Mura风险越小。其次,Trace Mura需要在高灰阶电压下按压划动液晶面板才能发生;而发生Trace Mura的液晶面板,可以通过降低液晶面板的电压灰阶来消除按压痕迹。最后,对比液晶分子状态模拟结果,确认在电极末端的液晶分子方位角会发生突变(即向相反方向偏转),模拟的突变角度在-15°以上,预测有Trace Mura风险。

摘要：通过对掩膜版上不同狭缝与遮挡条设计与TFT沟道形貌、电学特性相互关系的分析,发现随着狭缝与遮挡尺寸的减小,TFT的电学特性、沟道处光刻胶起伏与最终关键尺寸偏移量都会改善。狭缝的尺寸比遮挡条的尺寸对TFT特性的影响更加显著。考虑到沟道转角处的短路几率问题,小的狭缝与遮挡条尺寸设计更加适合于四次掩膜光刻工艺,转角处的缺陷可以通过调整遮挡条的尺寸来避免。

摘要：为了适应TFT-LCD小型化与窄边框化以及在面板布线精细化的趋势,提高工艺设计富裕量以及增加面板的实际利用率,之前做过钝化层沉积工艺优化来减小液晶面板阵列工艺中连接像素电极与漏极的过孔尺寸的研究.本文在此基础上进行过孔刻蚀工艺的优化,从而最终达到进一步减小过孔尺寸实现TFT-LCD小型化与窄边框化的趋势.通过设计实验考察了影响过孔大小刻蚀主要影响因素（功率、压强、气体比率、刻蚀速率选择比）.实验结果表明,在薄膜沉积优化的基础上可使过孔的尺寸再降低10％～20％.对其进行了良率检测与工艺稳定性评价,最终获得了过孔尺寸减小的方案,并成功导入到产品生产中,从而提高了产品品质.

摘要：为了适应TFT-LCD小型化与窄边框化以及在面板布线精细化的趋势,提高工艺设计富裕量以及增加面板的实际利用率,研究了通过改变钝化层(PVX)的沉积工艺来减小液晶面板阵列工艺中连接像素电极与漏极的过孔(VIA)尺寸的方案,通过设计实验考察了影响过孔大小的钝化层的主要影响因素(黑点、倒角、顶层钝化层沉积厚度,顶层钝化层沉积压力),得出了在不改变原有刻蚀方式基础之上使过孔的尺寸降低20%～30%的优化方案,并对其进行了电学性能评价(Ion:开态电流、Ioff:关态电流、Vth:阈值电压、Mobility:迁移率),从而获得了较佳的减小过孔尺寸的方案,提高了产品品质。

摘要：TFT-LCD产品为现代显示的主流,如何提高其显示品质成为大家普遍关注的问题,尤其近期发现的 过孔发黑（黑点）问题尤为突出,严重影响了产品的良率,降低了产品的品质,文章通过研究发现产生黑点不良的罪魁祸首不是过孔刻蚀的问题,而是有源层刻蚀工艺所导致的,并有针对性地进行了试验设计,分别考察了有源层刻蚀条件、附加一步刻蚀方式对黑点不良的解决效果,根据实验效果附加一步刻蚀方式完美地解决了黑点不良问题,从而将产品的良率提升了3%~4%,而电学性能评价（Ion：开态电流、Ioff：关态电流、Vth：阈值电压、迁移率）和正常条件相比没有异常,从而获得了最终完美的解决该不良的方案,提高了产品品质。

摘要：文章基于使用负性液晶的显示屏,为实现TFT LCD的电路设计优化,对系统电源电路简化方面进行相关研究。首先,根据TFT LCD电路驱动原理介绍了目前常用的电源驱动架构。进而,以正性液晶为例分析了典型的电源电路设计,即常规Source Driver IC驱动的电源电路设计以及常态的TCON IC IO电压输出级电源电路。其次,介绍了使用负性液晶基础上的电源电路并对TFT LCD电源驱动进行简化电路设计,说明了采用该电源电路设计的优势。最后,对使用负性液晶的电源电路优化方案进行了总结。可以表明:文章提出的使用负型液晶的电源电路优化方案,能够满足TFT LCD电源电路系统的稳定、可靠及精度高等要求。

摘要：IGZO-TFT钝化层设计三元复合过孔结构,出现了20%过孔相关不良。本文以CF4/O2为反应气体,采用控制变量法,从功率、气体成分和比例、压力等方面对氧化物TFT钝化层的电感耦合等离子体刻蚀机理进行研究。当钝化层为SiO2或SiNx单组分时,氧气可以促进刻蚀反应;随着CF4/O2比例增加,刻蚀速率先增大后趋于稳定,并且当CF4/O2=15/8时,刻蚀速率和均一性达到最优;与源功率相比,提高偏压功率在提升刻蚀速率中起主导作用,同时均一性控制在15%以内;当压力在4Pa以内时,刻蚀速率随着压力的降低而增加。据此分析,对复合结构SiNx/SiO2、SiO2/SiNx、SiNx/SiO2/SiNx的刻蚀过程进行优化,得到了形貌规整、无残留物的过孔,过孔相关不良得到100%改善。