摘要：设计了一种EFDA泵浦源半导体激光器的驱动电源,采用由PC机和单片机构成的上下位机的控制结构,具有恒定功率和恒定电流两种控制模式。该驱动电源具有激光器保护电路,电流精度和光功率控制精度分别为0.15%和0.2%。

摘要：对于研究转基因农作物来说，建立其检测方法至关重要。本研究利用TAIL-PCR法，获得了转基因水稻U41的右旁侧序列，结果显示T—DNA插入位点在水稻1号染色体第22013～22014之间。通过设计引物扩增左旁侧序列，建立了U41转化事件特异性检测的方法，可以从含0．1％目的基因中扩增出529bp的特异性条带；还建立了三引物检测的方法，能快速和准确地鉴定U41的纯合株系。这些方法的建立，缩短了获得U41纯合体的时间，对U41的检测、研究和利用具有实用价值。

摘要：多胺（腐胺,亚精胺和精胺）不仅参与植物的生长发育调控,还与生物胁迫和非生物胁迫的抗性密切相关。由于多胺具有多重功能,细胞内多胺含量受到严格控制,例如受转运的调节。因此,在水稻中研究水稻多胺转运蛋白OsPUT1的功能至关重要。本研究以OsPUT1为研究对象,借助生物信息学分析,发现OsPUT1蛋白是一种疏水性蛋白,具有12个跨膜结构,定位于细胞核内。通过构建OsPUT1基因过表达载体,借助根癌农杆菌将目的基因转入到水稻愈伤组织的基因组中,以潮霉素进行筛选,通过PCR鉴定,成功获得了20株转基因植株。对其中的4株转基因水稻进一步作实时荧光定量PCR检测,显示全部转基因苗OsPUT1基因表达明显上调,实现了设计目标。这些水稻为进一步研究OsPUT1的功能提供了良好的材料。

摘要：针对2.4 GHz 802.11 b/g无线局域网(WLAN)的应用,该文设计了一种单片全集成的射频功率放大器(PA)。由于在自适应偏置电路中采用异质结晶体管(HBT)和电容构成的简单结构提高PA的线性度,因此不增加PA的直流功耗、插损和芯片面积。在基极偏置的DC通路中采用电阻负反馈实现温度稳定功能,有效避免热崩溃的同时不引起射频损耗。采用了GRACE 0.18μm SiGe BiCMOS工艺流片,芯片面积为1.56 mm2,实现了包括所有偏置电路和匹配电路的片上全集成。测试结果表明,在2.4-2.5 GHz工作频段,PA的小信号增益S 21达23 dB,输入回波损耗S 11小于-15 dB。PA的1 dB输出压缩点的线性输出功率为19.6 dBm,功率附加效率为20%,功率增益为22 dB。

摘要：针对无线局域网应用的射频功率放大器(PA)性能要求,提出并实现了4种结构类型的功率单元,运用优选的功率单元进行了PA芯片设计。基于0.18μm 2P6M SiGe∶C BiCMOS工艺,选取48个发射极条数为4、长宽尺寸为1μm×20μm的SiGe HBT,分别设计实现发射极对称、平行馈入、鱼骨型及蝶型结构的功率单元。直流(DC)特性参数测试结果表明,4种功率单元直流功率特性稳定,电流增益β约为190,击穿电压VBCEO达7.5 V。射频(RF)性能测试结果表明,在集-射极电压VCE为3.5 V和基-射极电压VBE为0.78 V的偏置条件下,平行馈入结构具有较高的输出功率、附加效率和功率增益。基于平行馈入结构的功率单元设计了一款三级SiGe PA,测试结果表明,在2.4 GHz频率下,该PA的输出1 dB压缩点功率达25.48 dBm,功率附加效率为26%,功率增益为27.12 dB。

摘要：随着中国城市化步伐加快,城市之间发展的同质化现象也日趋明显,城市在品牌形象塑造上简单的模仿已然无法达到受众的要求,将城市更深层次的文化意涵用视觉语言进行传达,成为不可逆转的新趋势。文章选取国内外部分城市品牌形象构建案例,运用交叉学科研究方法,以皮尔斯三元关系理论进行分析、解析。基于三元关系模型探析城市文化特征以及转译为视觉因素的理论依据,为城市品牌形象中文化特征的构建提供了思路,优化城市文化符号传播效果。

摘要：针对交流主动磁轴承电主轴,提出采用线性二次型最优控制理论设计磁轴承控制器。阐述了一种交流主动磁轴承支承的电主轴结构和工作原理,建立了电主轴系统的状态方程。在介绍线性二次型最优控制理论的基础上,采用线性二次型最优控制理论设计了5自由度交流磁轴承电主轴分散和集中参数控制器,并用Matlab软件对集中和分散控制器进行仿真和性能比较。仿真实验结果表明,交流主动磁轴承电主轴转子在20 000 r/min以下运行,采用线性二次型最优控制理论设计的分散控制器,能够实现转子稳定悬浮,交流主动磁轴承电主轴能够按理想的指标运行,并且具有良好的动、静态性能。

摘要：基于0.18μm SiGe BiCMOS工艺,设计了一种应用于下一代移动通信3GPP LTE TDD2.6 GHz频段(Band38)的射频功率放大器(PA)芯片。射频功率放大器采用共发射极3级级联的全差分结构,提高了输出电压摆幅,减小了功率晶体管的集电极电流,且降低了寄生的键合线电感。在预放大级和中间放大级、功率级中分别设计了电阻偏置和有源偏置两种偏置电路以提高线性度性能,并通过MOS开关管实现功率控制功能。测试结果表明:在2.57～2.62 GHz工作频段内,正向增益S21大于30.5 dB,输入回波损耗S11和输出回波损耗S22分别均小于-13 dB,功率增益大于31 dB,输出1 dB压缩点功率达28.6 dBm,功率附加效率为18%。

摘要：阐述22nm CMOS SOI工艺设计一款用于新一代蓝牙BLE5.2系统的E类功率放大器,它采用两级差分结构,由三级反相器级联的缓冲器和Cascode晶体管堆叠结构的功率级构成,有效地防止功率晶体管击穿同时,提高了功率放大器的效率。仿真表明,在2.4~2.5GHz的频率范围内,输出回波损耗S22低于-12.1dB。在-10dBm的输入功率下,功率放大器输出功率为4.9dBm,功率附加效率PAE达到41.5%。

摘要：采用0.18μm SiGe BiCMOS工艺设计实现了一款用于3GPP WCDMA 850/2100(band-I/band-V)的双频单芯片功率放大器(PA)。PA采用单端共射级3级级联的结构,具有带模拟开关的片上偏置电路,通过控制偏置电流对两个PA工作状态进行切换。制造的芯片面积为1.82 mm×2.83 mm,片上集成了开关电路、偏置电路和输入匹配、级间匹配电路。在3.3 V电源电压下测试结果表明,对于band-V(CLR)频段,PA的线性输出功率P1 dB为28.6 dBm,5 dBm输入时,功率附加效率PAE,为34%。对于band-I(IMT)频段,PA的P1 dB为26.3 dBm,PAE为31%。