摘要：近年来,采用新一代半导体开关替代传统气体或真空开关是脉冲功率系统的一种重要发展趋势。为了给脉冲功率半导体器件领域的技术发展提供参考,简要介绍了压控型脉冲功率半导体器件技术的发展历程,总结了MOS栅控晶闸管(MCT)在器件设计、工艺和可靠性等方面的研究进展,同时通过比较MCT与一般商业IGBT器件,阐述了MCT相比于其他功率脉冲半导体器件的优劣情况,并结合典型应用场景展示了MCT器件的优势,对压控型脉冲功率半导体器件的发展趋势进行了简要分析。

摘要：提问贯穿课堂教学的始终,在课堂教学中起到至关重要的作用。本文结合教学实践,从分析并确定学习目标、创设合理的问题情境、把控问题的数量与质量、找准提问时机、设计学生反思环节五个方面入手,提出有针对性的提问策略,以此来激发学生的思维,提升学生的思维能力。

摘要：提出一种多等位环(multiple equipotential rings,MER)的高压屏蔽新结构MER-LDMOS,并解释了该结构的屏蔽机理,通过2D器件模拟验证了屏蔽机理的正确性.讨论了p-top剂量、等位环长度、等位环间距以及氧化层厚度对MER-LDMOS击穿电压的影响.结果表明MER-LDMOS突破常规LDMOS高压屏蔽的能力,击穿电压较常规LDMOS提高一倍以上;同时,该结构具有工艺简单、工艺容差大、反向泄漏电流小等优点,为高压集成电路中高压屏蔽的问题提供了一种新的解决方案.

摘要：针对衬底辅助耗尽效应降低常规super junction LDMOS(SJ-LDMOS)击穿电压的不足,提出了一种新的具有部分n埋层的高压SJ-LDMOS器件结构.通过该部分n埋层,不仅补偿了由于衬底辅助效应所致的电荷不平衡现象,实现了高的击穿电压,而且该埋层在器件正向导通时为电流提供了辅助通道,减小了器件导通电阻.分析了器件结构参数和参杂对器件击穿电压和导通电阻的影响,结果表明文中所提出的新结构具有高的击穿电压、低的导通电阻以及较好的工艺容差等特性.此外,该结构与智能功率集成技术兼容.

摘要：基于Semi SJ(superjunction)结构,提出了SJ的比例可以从0～1渐变的PSJ(partialsuperjunction)高压器件的概念.通过对PSJ比导通电阻的分析,得到了PSJ高压器件比导通电阻优化设计的理论公式.计算了不同击穿电压的比导通电阻,并与二维器件模拟结果和实验结果相比较.讨论了BAL(bottomassistlayer)部分穿通因素η、p型区深度归一化参数r、p型区深宽比A以及PSJ漂移区掺杂浓度是否统一对PSJ高压器件比导通电阻的影响.其理论结果和器件模拟结果相吻合,为设计与优化PSJ高压器件提供了理论依据.PSJ结构特别适于制造工艺水平不高、很难实现大的p型区深宽比的情况,为现有工艺实现高压低导通电阻器件提供了一种新的思路.

摘要：某核电站凝结水精处理系统升压泵在单体调试期间,发生轴承箱驱动端温度快速升高、圆锥滚子轴承烧毁事故。经检查分析确认,圆锥滚子轴承烧毁为轴承压盖弹簧孔深、挡圈弹簧孔深和弹簧极限压缩值不满足设计要求,导致圆锥滚子轴承窜量和游隙不足所致。经更换满足设计要求的轴承压盖、挡圈、弹簧,解决了圆锥滚子轴承烧毁的故障,保证了机组安全稳定运行。

摘要：水凝胶是一种理想的防污材料,因此水凝胶防污涂层材料的设计和应用受到了广泛关注。文章旨在总结水凝胶涂层在海洋防污领域的应用和研究。介绍了海洋污损生物的危害,阐述了水凝胶的防污机制,重点论述了纯水凝胶涂层材料、水凝胶-有机树脂涂层材料的国内外研究进展。对纯水凝胶涂层材料来说,其设计的重点集中于力学性能的提高、附着力的增强和防污性能的提升;水凝胶-有机树脂涂层设计研究应注重水凝胶与树脂之间相容性和水凝胶添加量的探索。最后指出水凝胶防污涂层材料存在的问题和发展方向。

摘要：所谓管理的艺术性,指的是处理管理问题的才能和方法,也就是技巧。它是区别与策略、结构、制度等硬性管理因素之外的软性因素,是呈多样性。多方面的,是对从事高层次管理的企业领导而言的。要提高企业的经济效益,要激发全体职工的积极性,要达到让职工群众跟着管理者不知不觉中逐渐达到管理目标,研究和运用管理艺术是非常必要的。

摘要：本文主要介绍了辽宁电视台网络字幕播出系统的组成、特点、工作流程,以及为保证字幕同步准确性、网络安全性和制播分离方面的设计考虑,还介绍了字幕播出工作站运行的CG SCHEDULE软件的主要功能。

摘要：针对3DK9开关晶体管在应用中出现表面漏电失效的具体案例进行分析研究。该器件的设计在基极场板边缘处同时出现金属化台阶和表面尖峰电场,这是影响器件可靠性的重要因素。针对原器件结构的缺陷,提出了一种新的器件结构,即采用结终端扩展技术代替基极场板。新结构不仅大大降低了表面尖峰电场,而且避免了金属化台阶与高电场出现在同一区域的情况,从而提高了器件可靠性。