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检索条件"作者=陈于伟"
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128×128PtSi高速逐行扫描CCD器件的研制
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《半导体光电》2005年 第3期26卷 177-179页
作者：翁雪涛 易萍 唐遵烈 李华高 陈于伟 陈红兵重庆光电技术研究所重庆400060 
采用2μm的设计规则,在硅工艺线上,成功设计和制作了128×128PtSi高速逐行扫描CCD器件。介绍了器件的结构、制作工艺和参数测试结果。
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有限元分析在CCD制冷封装设计中的应用
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《半导体光电》2015年 第4期36卷 588-591页
作者：程顺昌 朱虹姣 陈于伟 谷顺虎重庆光电技术研究所重庆400060 中国电子科技集团公司第二十四研究所重庆400060 
采用有限元分析方法对制冷封装CCD工作在低温时光窗外表面温度过低产生露珠的现象进行了研究,分析了光窗与芯片表面(冷端)不同距离时光窗的最低温度以及内部填充不同气体时光窗的最低温度。通过有限元分析得到了光窗不产生露珠时的最优...
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