摘要：飞行控制计算机是飞行控制系统的核心组成部分,为进一步提高中小型无人机的安全可靠性,采用了软、硬件结合的三余度管理技术;首先采用模块化的设计思想,设计了系统三余度飞行控制计算机的硬件架构,包括串口、开关量、模拟量、CAN和FlexRay总线以及外扩SRAM等硬件资源;然后设计余度管理策略,该部分提出了软件表决和硬件仲裁两级余度管理思想;此外,为克服传统CAN总线负载量和通信速率等方面的不足,引入了FlexRay总线通信技术,并详细分析了总线通信数据流,设计了基于FlexRay的总线通信机制;最后进行半物理仿真实验,验证FlexRay总线通信功能,验证结果表明设计方案合理可行;设计的三余度飞行控制计算机硬件集成性高且易扩展升级,FlexRay总线通信功能也满足设计需求,具有很高的应用价值。

摘要：验证是FPGA开发流程和IC芯片设计流程中不可或缺的环节,文章首先分析了当前数字仿真验证用例设计无法跨越的不完备性和不充分性,并详细探讨了为什么功能仿真会错过一些角落案例场景。在此基础上,介绍了形式化验证中FPGA的主要应用场景以及硬件逻辑功能验证语言SVA,并以实际工程案例阐述了基于SVA的形式化验证方法如何更好地在验证关键设计中发挥作用。

摘要：HfO2因高k值、热稳定性良好和相对Si导带偏移良好等特点,作为电荷俘获型存储器栅介质材料得到了广泛研究.为了明确高k俘获层提高CTM电荷俘获效率的原因,运用基于密度泛函理论的第一性原理计算,研究了氧空位引起HfO2的晶格变化及其影响计算结果显示优化后氧空位最近邻氧原子间距明显减小,次近邻O与Hf间距变化稍小.优化后氧空位明显改变局部晶格,而对较远晶格影响逐渐减弱,即引起了局部晶格变化深能级和导带电子态密度主要是Hf原子贡献,而价带则是O原子贡献.优化后各元素局部电子态密度和总电子态密度都明显大于未优化体系,局部电子态密度之和比总电子态密度小.优化后俘获电荷主要在氧空位周围和相邻氧原子上,而未优化时电荷遍布整个体系.优化后缺陷体系电荷局域能增大,电荷量增加时未优化体系电荷局域能明显减小,即晶格变化无饱和特性对电荷局域影响大.说明晶格变化对电荷的俘获能力较强,有利于改善存储器特性.

摘要：从图像处理方法的角度对红外图像中小目标的检测、跟踪进行了研究,给出了系统总体设计框图,整个检测算法的前端图像滤波预处理采用FPGA实现,识别跟踪采用DSP实现。详细介绍了系统各功能模块的设计方法。实验表明该系统实现了小目标检测跟踪的功能,工作稳定可靠。

摘要：采用基于MS(Materials Studio)软件和密度泛函理论的第一性原理方法,研究了HfO2俘获层的电荷俘获式存储器(Charge Trapping Memory,CTM)中电荷的保持特性以及耐擦写性.在对单斜晶HfO2中四配位氧空位(VO4)缺陷和VO4与Al替位Hf掺杂的共存缺陷体(Al+VO4)两种超晶胞模型进行优化之后,分别计算了其相互作用能、形成能、Bader电荷、态密度以及缺陷俘获能.相互作用能和形成能的计算结果表明共存缺陷体中当两种缺陷之间的距离为2.216时,结构最稳定、缺陷最容易形成;俘获能计算结果表明,共存缺陷体为双性俘获,且与VO4缺陷相比,俘获能显著增大;Bader电荷分析表明共存缺陷体更有利于电荷保持;态密度的结果说明共存缺陷体对空穴的局域能影响较强;计算两种模型擦写电子前后的能量变化表明共存缺陷体的耐擦写性明显得到了改善.因此在Hf O2俘获层中可以通过加入Al杂质来改善存储器的保持特性和耐擦写性.本文的研究可为改善CTM数据保持特性和耐擦写性提供一定的理论指导.

摘要：随着器件尺寸进一步等比例缩小,高k材料HfO2作为俘获层的电荷俘获型存储器展现了较好的耐受性和较强的存储能力,且工艺相对简单,与传统半导体工艺完全兼容,因此得到了广泛的研究.为研究HfO2中氧空位引入的缺陷能级对电荷俘获型存储器存储特性的影响,运用第一性原理计算分析了HfO2中的氧空位缺陷.通过改变缺陷超胞中的电子数模拟器件的写入和擦除操作,发现氧空位对电荷的俘获基本上不受氧空位之间距离的影响,而氧空位个数则影响对电子的俘获,氧空位数多,俘获电子的能力就强.此外,四价配位的氧空位俘获电子的能力比三价配位的氧空位大.态密度分析发现四价配位的氧空位引入深能级量子态数大,并且受氧空位之间的距离影响小,对电子的俘获概率大.结果表明,HfO2中四价配位的氧空位缺陷有利于改善电荷俘获型存储器的存储特性.

摘要：通过工艺模拟软件TSUPREM,设计了一种复合多晶硅栅(DDPG-MOS FET)的制造工艺,并使用MEDICI软件对采用该工艺的器件的频率特性和瞬态特性进行分析。结果表明,DDPG-MOS制造工艺简单、完全与CMOS工艺兼容,其结构明显改善了传统MOSFET的多项性能,在射频领域具有很好的应用前景。

摘要：某联接螺钉在使用过程中发生断裂失效。为了分析其断裂的故障原因,通过对螺钉预紧力、气体压力载荷、结构热变性载荷等进行分析以及理化检验分析,确定螺钉断裂原因。结果表明,与螺钉的机械性能异常和螺钉受力偏离设计状态有关。同时开展预紧力控制研究,明确严格控制螺钉的拧紧力矩是保证螺钉受力不偏离设计状态的主要手段。

摘要：采用基于密度泛函理论的第一性原理对比研究了Cu(111)/HfO2(001),Cu(111)/HfO2(010),Cu(111)/HfO2(100)三种复合材料界面模型的失配率、界面束缚能、电荷密度、电子局域函数以及差分电荷密度.计算结果表明:Cu(111)/HfO2(010)失配率最小,界面束缚能最大,界面体系相对最稳定;对比电荷密度及电子局域函数图显示,只有HfO2(010)方向形成的复合材料体系出现了垂直Cu电极方向完整连通的电子通道,表明电子在此方向上具有局域性、连通性,与阻变存储器(RRAM)器件导通方向一致;差分电荷密度图显示,Cu(111)/HfO2(010)复合材料体系界面处存在电荷密度分布重叠的现象,界面处有电子的相互转移、成键的存在;进一步计算了Cu(111)/HfO2(010)体系距离界面不同位置的间隙Cu原子形成能,表明越靠近界面Cu原子越容易进入HfO2体内,在外加电压下易发生电化学反应,从而导致Cu导电细丝的形成与断裂.研究结果可为RRAM存储器的制备及性能的提高提供理论指导和设计工具.

摘要：基于改进后的三角势阱近似和n型多晶硅的耗尽以及MOSFET的强反型的情况,建立了一个考虑量子效应的栅电容模型.分别对反型层电容和耗尽层电容进行定义、分析和计算,给出了MOSFETs栅电容解析表达式,并与数值模拟结果进行了比较.结果表明该模型是基于物理的解析模型,具有相当精度,便于电路模拟与设计.