摘要：在分析运算放大器一般输入级电路结构的基础上,文章设计出一种新颖的电路结构以实现运算放大器的超宽共模输入范围,摆脱了电源电压对信号共模电平范围的限制,解决了一般运放输入级中容易出现的输入管饱和问题。电路采用1.6μm的P衬N阱BiCMOS工艺制程,HSPICE仿真结果表明:电源电压为2.7V时,运算放大器的共模电平VCM输入范围为1V～7V,带宽为3MHz(相位裕度72.5),开环增益为62.5dB。

摘要：通过对传统单环LDO的频域分析,提出一种快速瞬态响应的双环路LDO稳压器结构,在保证单位增益带宽不变的前提下提高直流增益,进而提高LDO电路的瞬态性能。设计采用0.6μm BiCMOS高压工艺,Hspice仿真中输出电容为2.2μF,ESR为0.5Ω,旁路电容为1.0μF。负载电流从20 mA到180 mA变化时,其负载调整率仅为0.6%。

摘要：为了防止芯片过热,文章提出了两种温度检测技术:利用PTAT电流的正温度特性或利用PN结的负温度特性。在此基础上,设计出一种低功耗、具有迟滞功能的热关断电路:电路结构非常紧凑,采用1.5μm的P衬N阱数模混合1P2MBiCMOS工艺。Hspice仿真结果表明:当温度超过150℃时,电路输出发生翻转,禁止芯片工作;当温度降至115℃时,恢复芯片工作。该电路的最大工作电流不超过150μA,能很好地抑制由于电源电压和工艺参数变化造成的热关断阈值点的漂移,适用于各种电源管理芯片。

摘要：在DC/DC转换芯片中,为了保证功率开关管及时导通和截止,需要设计专门的驱动电路。本文设计了同步整流驱动电路,通过引入负跳沿延时单元,消除了CMOS瞬态短路导通现象,降低了功耗,保护了输出级。HSPICE仿真表明,驱动电路延时小于14ns,能满足较高开关频率的要求;同时,开关转换时的尖峰电流减小了56%,功耗也降低了19.3%。