摘要：为了进一步提高图像矢量量化的码书质量,提出了一种新的图像压缩矢量量化码书设计算法。该算法采用均方误差(MSE)作为码书设计的适应度函数,利用改进的人工蜂群算法进行适应度函数的优化求解,增强了算法的自组织性和收敛性,大大减少了陷入局部收敛的可能性。将一种基于和值特性的快速码字搜索思想引入到码书设计算法中,使算法计算量明显降低。仿真结果表明,该算法具有计算时间短、收敛速度快的优点,并且生成的码书质量好、稳定性强。

摘要：模拟分析了不同结构下二级光栅的特性,研究了光栅结构对分布分馈半导体激光器(DFB LD)空间烧孔以及光谱线宽的影响。最终给出优化后的光栅结构。优化后器件的阈值电流为11 mA,边模抑制比达到40 dB,最小线宽105 kHz,很好地抑制了空间烧孔效应。

摘要：使用传输矩阵方法模拟光场特性,设计了带有模式扩展层的900nm窄发散角量子阱激光器(LD),利用金属有机化合物气相淀积(MOCVD)技术生长了器件。垂直方向远场发散角由常规结构LD的35°减小为20°,且阈值电流和光限制因子都没有明显变化。

摘要：设计并研制了 1cm长折射率渐变分别限制单量子阱 (GRIN SCH SQW)单条激光器阵列。占空比为 2 0 % ,在70A工作电流下 ,输出功率达到 6 1.8W ,阈值电流密度为 2 2 0A/cm2 ,斜率效率为 1 1W/A ,激射波长为 80 8 2nm。

摘要：高速调制半导体激光器光源是高速光纤通信系统、相控阵雷达等的关键器件。本文分析了影响半导体激光器调制带宽的各种因素,系统地介绍了提高调制带宽的途径,并讨论了高速半导体激光器的典型结构和制造工艺。

摘要：从薛定谔方程出发推导了阶梯形有限深应变单量子阱中的特征值方程 ,研究了台阶宽度对激射波长、电子第一子能级、空穴第一子能级的影响以及空穴第一子能级对激射波长的影响 ,计算结果表明当有源区In组分较大时 ,不能忽略空穴第一子能级对激射波长的影响 .该模型计算结果与实验值相吻合 .

摘要：基于自主搭建的CPV(聚光光伏)户外测试系统,分析500倍聚光条件下,GaAs多结太阳电池的输出特性,寻求改善电池效率的途径,为聚光系统提供方案。通过实验得出:菲涅尔透镜与电池的距离略小于焦距时,电池的效率最高;若引入二级聚光元件,可以提高聚光电池的效率和功率输出,尤其是在出现系统跟踪偏差时更明显;再者优化散热器散热设计也可以提高电池的效率和功率输出。

摘要：通过对不同腔长的808nm半导体激光器单管进行P-I测试,提取出了材料内部参数,如内量子效率、内损耗、透明电流密度、模式增益等。根据得出的内部参数进行了腔面反射率设计,分析腔面反射率与功率转换效率的关系,得出了关系曲线。进行腔面镀膜实验,把实验值与计算值相比较,二者相吻合。通过这种腔面反射率设计方法,可以得到半导体激光器的最大功率转换效率,从而使其工作于优化状态下。

摘要：利用金属有机化合物气相淀积 ( MOCVD)技术成功生长了 In Ga As/Ga As/Al Ga As分别限制应变单量子阱材料 ,用该材料制成的单管半导体激光器在室温下连续波输出功率高达 2 .36 W,中心激射波长为 94 4nm,斜率效率高达 0 .96 W/A,阈值电流密度为 177.8A/cm2。该波长的半导体激光器是 Yb:YAG固体激光器的理想泵浦源。

摘要：将输出光谱包络合理近似为高斯型,以高斯算法为基础,利用计算机软件编写了激光器阵列光谱合成模拟软件,实现了对激光器阵列合成波长、半高宽以及光谱图形的模拟。结果表明:用软件进行光束合成的激光器阵列波长与实际测试的波长基本吻合,但存在一定误差。基于这种情况,对模拟结果和实测结果的误差部分进行分析实验,以验证误差分析的正确性,并将误差重新编写到软件。该模拟软件可以在激光器组装阵列之前对激光器单条进行筛选,找出符合组成阵列波长要求的最佳激光器单条,使得实际生产出的激光器阵列波长与阵列的设计波长基本一致。