摘要：多晶电阻在集成电路中应用广泛,可用作电路负载、阻尼、分压或分流,但是在实际使用过程中,多晶掺杂电阻的阻值由载流子浓度和迁移率决定,而2者都会受到温度的影响,因此多晶电阻的阻值随温度的变化而变化,且存在一定的温度系数。对N多晶电阻的温度漂移影响因子展开研究并进行分组实验验证,制备出了温度系数在±10×10^(-6)/℃以内的低温度漂移、高精度半导体N多晶电阻,保证了不同温度环境下电路的工作稳定性,为高稳定电路设计提供了参考依据。

摘要：WAT(Wafer Accept Test)即硅圆片接收测试,就是在半导体硅片完成所有的制程工艺后,对硅圆片上的各种测试结构进行电性测试,它是反映产品质量的一种手段,是产品入库前对wafer进行的最后一道质量检验。随着半导体技术的发展,等离子体工艺已广泛应用于集成电路制造中,离子注入、干法刻蚀、干法去胶、UV辐射、薄膜淀积等都可能会引入等离子体损伤,而常规的WAT结构无法监测,可能导致器件的早期失效。设计了新的针对离子损伤的WAT检测结构,主要是缩小了栅端面积,在相同天线比的情况下天线所占面积呈几何级下降,使得评价结构放置在划片区变得可能。

摘要：器件模型作为Foundry跟设计公司接口的最基本桥梁,需要熟悉器件、工艺、物理、EDA等多方面的专业要求[1],设计公司依据一个高精度的器件模型,针对确定的器件和工艺进行设计,可以保证设计电路产品的成品率和可靠性,提高工艺容宽,降低成本。随着加工工艺的不断进步,工艺建模更是必不可少。现在模型参数提取已经进入了45 nm时代,工艺模型则需要专业的建模公司来完成,因为这不仅需要专业的模型提取软件,亦需要昂贵的品类繁多的测试设备,当然更需要专业的建模技术人员。建立完整可靠和统一高效的SPICE模型是将先进的工艺制程迅速推向客户的关键。

摘要：在半导体制造工业中,参数测试作为有效的对在线制品的监控手段,一方面反映了工艺线的工艺水平状况,另一方面它也是制造公司与设计公司之间进行沟通的主要依据。而对于新工艺研发来说,参数测量及分析更是整个研发过程中极其重要的一部分,及时准确的参数测量结果是产品工程师快速作出工艺研发方向的判断依据。因此,芯片参数测量分析的主要作用在于:在工业生产中得到大量的测量数据,用于评价工艺设备、半导体材料和电路结构,监视和控制工艺和器件参数的均匀性、重复性、协调性,分析工艺中存在的缺陷,诊断电路性能失常规律,预测成品率,预报可靠性信息等等。文章主要介绍了运用参数测试对在线工艺异常进行可靠性评估的方法。