摘要：H_(2)O吸附引起的二次电子发射增强是导致真空微波器件与设备异常放电的关键因素。为了研究H_(2)O吸附对金属表面二次电子发射特性的影响规律,该文考虑电子−H_(2)O分子碰撞的7种散射类型,采用Monte Carlo方法模拟电子−H_(2)O吸附分子的散射过程,同时考虑功函数变化对电子出射概率的影响,建立了一种H_(2)O吸附Cu表面的二次电子发射模型,统计二次电子的最终状态,并对二次电子发射系数(secondary electron yield,SEY)和二次电子能谱(secondary electron spectrum,SES)的变化规律进行分析。结果表明,H_(2)O吸附能够降低表面功函数,且产生更多电离电子,导致SEY增大;但当吸附厚度大于100 nm时,SEY不再继续增大,这是由于吸附层较厚时,电子无法进入Cu基底,仅在吸附层内散射。SES的谱峰随着吸附厚度的增加而增强,表明H_(2)O能够促使更多的低能电子出射,这是造成二次电子发射增强的重要因素。该文的模型为研究复杂表面状态的二次电子发射提供了可靠的分析方法,相关结果能够用于分析解释真空微波器件与设备放电形成机理,优化设备部件的设计参数。

摘要：针对样品表面吸附和污染导致扫描电子显微镜能谱仪成像质量和检测精度下降的问题,提出了一种扫描电镜能谱分析方法——吸附表面二次电子发射数值计算模型。首先,采用Polanyi位势理论在Cu表面构造了N_(2)多层吸附模型;其次,考虑吸附对功函数及电子散射过程的影响,采用Monte Carlo方法追踪电子在材料和吸附层内的散射轨迹,建立了电子与N_(2)分子散射模型;最后,将N_(2)多层吸附模型与电子与N_(2)分子散射模型合并,建立了吸附表面二次电子发射的精确模拟模型,用于计算N_(2)吸附分子对能谱的影响规律。数值计算结果表明,当N_(2)分子吸附量增大至3×10^(16)cm^(-2)时,二次电子能谱的最可几能量和半峰宽分别增大了3.16、4.76倍,二次电子比例减少至原来的215。采用所提模型对探测器进行优化设计,能够提高二次电子信号收集效率、降低噪声信号、提高分辨率。相比以往模型,所提模型突破了仅适用于分子吸附量小于3×10^(15)cm^(-2)的限制,并更真实地描述吸附对电子散射的影响,为研究扫描电镜环境下复杂表面状态的能谱提供了可靠的分析方法。

摘要：白鹤滩水电站拱坝左岸边坡存在强卸荷发育区,在降雨与渗水的作用下,这些结构面会发生强度参数降低的力学弱化行为,会对边坡的稳定性造成严重影响。为真实模拟置换洞对边坡稳定性的作用,通过建立二维地质力学模型,降低主要结构面的抗剪断强度和抬升钢架增大下滑力实现超载相结合的方法进行试验。试验结果表明,置换洞能有效增强底滑面抗剪能力,减缓块体破坏发展过程,提高边坡整体稳定性。

摘要：文章以水利工程为例,梳理了地质力学模型试验从20世纪60年代至今的发展过程,概括了地质力学模型试验的研究特点,包括体现出岩体的基本力学特征,满足相似理论。介绍了地质力学模型试验的研究内容,包括坝与地基的相互作用、坝基的破坏机理、地质构造对坝的影响、对大坝加固措施的指导。用举例的方式阐释了水利工程中地质力学模型试验的研究类型。最后,就地质力学模型试验存在的问题与未来发展趋势进行了探讨。