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4700V碳化硅PiN整流二极管
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《电工技术学报》2015年 第22期30卷 57-61页
作者:陈思哲 盛况浙江大学电气工程学院杭州310027 
碳化硅Pi N二极管是一种理想的高压二极管器件,具有高阻断电压以及高电流导通密度的特点。通过使用有限元分析的方法对器件外延层参数以及终端结构进行了仿真,提出了优化的器件原胞和终端设计。基于50μm厚、掺杂浓度为1.5×10^(15)...
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不平衡电网电压下双馈风力发电系统的比例-积分-谐振并网控制
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《电网技术》2012年 第8期36卷 62-68页
作者:陈思哲 章云 吴捷 张淼广东工业大学自动化学院广东省广州市510006 华南理工大学电力学院广东省广州市510640 
提出双馈发电机(doubly-fed induction generator,DFIG)的比例-积分-谐振(proportional integral resonant,PIR)并网控制方法,以实现电网电压不平衡工况下DFIG风力发电系统的并网控制。并网控制器由同步旋转坐标系中的比例-积分控制器...
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基于微分几何的风力发电机组恒功率控制
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《控制理论与应用》2008年 第2期25卷 336-340页
作者:陈思哲 吴捷 姚国兴 杨金明华南理工大学自动化科学与工程学院广东广州510640 华南理工大学电力学院广东广州510640 
当风速超过额定值时,可以通过降低风力机的转速实现恒功率控制从而避免使用复杂的变桨距机构,本文基于微分几何理论设计了非线性控制器,实现了变速风力发电机组的恒功率控制.首先,分析了风力机的空气动力学特性,这是所提出的恒功率控制...
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基于半波Fourier算法的故障选相控制系统的设计
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《高电压技术》2013年 第4期39卷 869-875页
作者:袁召 罗楚军 方春恩 陈思哲 何俊佳华中科技大学强电磁工程与新技术国家重点实验室武汉430074 中南电力设计院电网工程分公司武汉430071 西华大学电气信息学院成都610039 
为了快速、准确地预测故障电流零点,设计了故障选相控制系统。基于故障选相原理,以数字信号处理器(DSP)TMS320F2812为核心,通过丰富其外设,进行控制系统硬件的设计;基于相电流突变量原理和改进半波Fourier算法,进行了故障起始时刻的判...
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一种具有自动均流特性的简易非隔离型多路LED串驱动电路
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《电工技术学报》2013年 第7期28卷 218-225页
作者:唐雄民 张淼 章云 陈思哲 陈树琛广东工业大学自动化学院广州510006 
如何确保处于并联工作状态下各LED(发光二极管)串工作电流的均衡性,是制约LED在大功率场合下广泛应用的一项关键问题。本文提出了一种具有自动均流特性的简易非隔离型多路LED串驱动电路。该驱动电路由在开关电源中广泛使用的LLC谐振电...
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基于纵横交叉优化的可重构电池组环流抑制策略
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《电网技术》2022年 第1期46卷 165-174页
作者:陈思哲 王玉乐 陶以彬 常乐 孟安波 章云广东工业大学自动化学院广东省广州市510006 华南理工大学电力学院广东省广州市510640 中国电力科学研究院有限公司江苏省南京市210003 
退役电池之间巨大的特性差异会降低储能系统的有效容量和安全性,严重阻碍电池的梯次利用。可重构电池组能灵活切换电池之间的连接方式,是应对电池特性差异的有效方案。然而,电压差异导致的电池组内部环流,会降低电能效率和缩短电池寿命...
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Design consideration and fabrication of 1.2-kV 4H-SiC trenched-and-implanted vertical junction field-effect transistors
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《Chinese Physics B》2014年 第7期23卷 649-654页
作者:陈思哲 盛况College of Electrical EngineeringZhejiang University 
We present the design consideration and fabrication of 4H-SiC trenched-and-implanted vertical junction field-effect transistors (TI-VJFETs). Different design factors, including channel width, channel doping, and mes...
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4500V碳化硅SBD和JFET功率模块的制备与测试
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《电工技术学报》2015年 第17期30卷 63-69页
作者:何骏伟 陈思哲 任娜 柏松 陶永洪 刘奥 盛况浙江大学电气工程学院杭州310027 南京电子器件研究所南京210016 
基于自主研制的碳化硅肖特基势垒二极管(SBD)和碳化硅结型场效应晶体管(JFET)芯片,成功制备了4 500 V/150 A的碳化硅SBD功率模块和4 500 V/50 A的碳化硅JFET功率模块,并设计了JFET功率模块的驱动电路进行相应的静态和动态开关测试。测...
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电压源型高压直流输电系统的反步变结构控制
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《控制理论与应用》2014年 第11期31卷 1548-1554页
作者:杨俊华 陈凯阳 王秋晶 陈思哲 吴捷广东工业大学自动化学院广东广州510006 国网河南省电力公司信阳供电公司河南信阳464000 华南理工大学电力学院广东广州510640 
为提高电压源高压直流输电系统(voltage source converter-high voltage direct current,VSC-HVDC)受扰时的动态性能,提出一种可预测不确定度上界的反步变结构控制策略.通过分析电压源变流器dq0坐标下的数学模型,应用传统反步设计方法,...
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基于自抗扰控制的PMSM转速调节系统
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《微特电机》2012年 第2期40卷 51-54页
作者:崔国祥 张淼 陈思哲广东工业大学广东广州510006 
经典PI调节的永磁同步电动机转速控制,存在快速性与超调量之间的矛盾。将自抗扰控制技术应用于永磁同步电动机转速控制中,设计跟踪微分器对输入安排过渡过程,使系统有良好的转速适应性;扩张状态观测器通过对综合扰动项的观测和实时补偿...
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