摘要：针对5G移动通信系统n1,n2,n40和n41频段,基于InGaP/GaAs异质结双极晶体管(Heterojunction Bipolar Transistor,HBT)工艺,设计了一款工作在1.8~2.7 GHz的宽带高增益功率放大器。该功放采用并联式负反馈的三级放大结构。为了拓展电路的工作带宽,一方面,第二、三级级间匹配采用片上变压器,并将单端信号转换为差分信号;另一方面,输出匹配网络采用片外变压器,实现阻抗变换和功率合成。实测结果表明,室温下所实现的宽带功率放大器在1.8~2.7 GHz全频段内小信号增益不小于32 dB,饱和输出功率大于31.9 dBm,饱和工作效率大于28%。输入4G-LTE 20 MHz的调制信号,当放大器的输出功率为22 dBm时,全工作频段邻近信道功率比(Adjacent Channel Power Ratio,ACPR)小于-39 dBc。1 dB压缩点输出功率在1.9,2.3和2.6 GHz三个工作频点实测均大于30.7 dBm。

摘要：针对北斗卫星通信手持终端,基于InGaP/GaAs HBT工艺,采用功率合成的方式设计了两种输出功率为5 W的功率放大器,其中一种采用两路完全对称的功率放大器合成,另一种在两路功率放大器的输出端引入了90°的相位差。实测结果表明,在输出端引入90°相移的功率放大器获得了极好的抗烧毁能力,其在负载开路情况下仍能可靠工作。该功率放大器的功率附加效率为43%,增益为30dB,饱和输出功率为37.8dBm。

摘要：针对卫星通信终端，采用功率合成架构设计了一个高输出功率的平衡功率放大器。功率合成架构通过在两路放大器的输出匹配网络中引入土45。的相移，可使该平衡功率放大器具有对负载失配容忍度更高和对负载变化不敏感等特性。该平衡功率放大器采用InGaP／GaAsHBT工艺，工作电压为5v°测试结果表明：在1．5～1．7GHz频段内的增益为32dB左右，饱和输出功率为38dBm，功率附加效率为43％，当负载失配时仍能保持良好的射频特性。

摘要：介绍了一种对功率放大器高次谐波处理的方法 ,该方法通过在输出低通匹配网络中引入多个LC谐振网络来对功率放大器产生的谐波能量进行回收,抑制了负载处的谐波分量,同时也提高了功放的效率。利用该方法采用In Ga P/Ga As HBT工艺设计了一个供电电压为5 V、工作于2 GHz频率的功率放大器。测试结果表明,该功率放大器的增益为35 d B,饱和输出功率为35.2 d Bm,效率为48%,2次到5次的谐波分量分别为:-53 d Bc、-58 d Bc、-65 d Bc、-60 d Bc。

摘要：采用完全对称的双链路功率合成架构,设计了一种应用于北斗手持式终端的高输出功率的功率放大器。采用F类输出匹配网络和自适应偏置电路,使得该功率放大器获得较高的功率附加效率和较好的谐波抑制性能。电路采用InGaP/GaAs HBT工艺流片,并通过搭载基板实现了集成化芯片的研制。芯片测试结果表明,该功率放大器的小信号增益为30dB,1dB压缩点为37dBm,饱和输出功率为38dBm,功率附加效率为45%,具有较好的谐波抑制性能。

摘要：介绍了一种简单的具有谐波调谐功能的输出匹配网络,可实现2次谐波短路和3次谐波开路。利用该输出匹配网络,基于InGaP/GaAs HBT工艺,设计了一个工作于2GHz的高效率F类功率放大器,并通过搭载基板实现小型化芯片的研制。芯片测试结果表明,该功率放大器的小信号增益为35dB,1dB压缩点为34dBm,饱和输出功率为35.3dBm,效率为57%,并具有较好的谐波抑制性能。

摘要：针对应用于无线局域网IEEE 802.11ac标准的终端,通过采用自适应线性化偏置和宽带匹配技术,设计一种高线性度的InGaP/GaAs HBT功率放大器。芯片测试结果表明,在4.9~5.9GHz的工作频段内,该功率放大器小信号增益超过26.2dB,1dB压缩点输出功率超过29.1dBm,实现了在64正交振幅调制-正交频分复用输入信号下,误差矢量幅度在3%时超过19dBm的线性输出功率。

摘要：A broadband class-F power amplifier for an S-band handset device is integrated on a 330.82 mm^3 die using an In Ga /GaAs HBT process. With LC serial harmonic traps immersed into the broadband output matching circuit, good harmonic suppression performance can be achieved. A pure resistive impedance of the matching circuit, but near zero at second and infinite at third harmonic frequency, which enhances the efficiency, is obtained across 1.8–2.5 GHz. Tested with a continuous wave（CW） signal, the PA delivers an output power of 34 dBm and achieves a PAE of 57% at 2 GHz. In addition, excellent harmonic suppression levels of less than –53 dBc across the second to fifth harmonic are obtained.

摘要：A broadband class-F power amplifier for multiband LTE handsets applications is developed across 2.3- 2.7 GHz. The power amplifier maintains constant fundamental impedance at the output matching circuit which is operating for broadband. The nearly zero of second harmonic impedance and nearly infinity of third harmonic impedance are found for highly efficient class-F PA. The harmonic control circuits are immersed into the broad- band output matching for fundamental frequency. For demonstration, the PA is implemented in InGaP/GaAs HBT process, and tested across the frequency range of 2.3-2.7 GHz using a long-term evolution signal. The presented PA delivers good performance of high efficiency and high linearity, which shows that the broadband class-F PA supports the multiband LTE handsets applications.

摘要：工程上常用ADS进行射频功率放大器裸芯片电路级设计,然后将裸芯电路原理图或版图与设计好的基板进行联合仿真。常用的裸芯与基板联合仿真方法包括使用ADS+Momentum或ADS嵌套技术或ADS+HFSS等。由于射频电路的实际寄生很难准确模拟,在射频功率放大器芯片的设计研制过程中,工程师们常对应采用什么样的基板联合仿真方法感到困惑。本文以自主研制的工作频率2GHz的射频功率放大器芯片为例,从仿真器的算法理论、联合仿真的具体建模方法、建模复杂度、仿真时间、对比实测结果等几个方面对上述几种常用的基板联合仿真方法进行了比较探讨,尝试归纳总结出对实际射频功率放大器芯片工程设计有帮助的仿真经验。