摘要：讨论了毫米波低噪声PHEMT的设计要点藉助Schroedinger／Poisson方程及器件方程，进行了Ka波段AlGaAs／InGaAs低噪声PHEMT用异质层结构的数值计算及CAD优化．确定出分子束外延MBE时诸层的最佳组分。浓度与厚度上述优化分析的结果用于器件的实验研制，取得了34．4Gfu下噪声系数（NF）1．92dB、相关增益Ga6．

摘要：讨论了 X波段功率异质结双极晶体管 (HBT)的设计 ,介绍了器件研制的工艺过程及测试结果。研制的器件在 X波段功率输出大于 5 W,功率密度达到 2 .5 W/mm。采用 76mm圆片工艺制作 ,芯片的 DC成品率高于 80 %。

摘要：讨论了针对GaAs基改性高电子迁移率晶体管(MHEMT)的异质层结构参数的设计优化方法,详细给出了有关的设计步骤与公式。在数值分析与比较的基础上,并综合考虑材料生长与器件工艺的简便性,得到一组优化的MHEMT异质层结构设计参数。模拟所得的器件DC与RF特性充分显示其在功率与低噪声应用上的巨大潜力。验证性的1μm×200μmMHEMT取得的fT=30GHz、fmax=170GHz的结果佐证了理论分析的正确性。

摘要：提出了微波频率下ＰＨＥＭＴ在作开关运用时一种简化的等效电路模型，其模型参数可从对实际ＰＨＥＭＴ芯片的在片微波测试方便地确定。对于电路中元件采用不同尺寸组合情形下所进行的开关性能（插入损耗，隔离度，输入及输出反射损耗）的模拟计算表明，与实验结果符合良好。在对串／并联ＰＨＥＭＴ型ＳＰＤＴ开关的ＣＡＤ优化设计基础上进行了ＩｎＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓＰＨＥＭＴ单片ＳＰＤＴ微波开关的实验研制。从研制的ＭＭＩＣ芯片上在片测试得到的结果为：对应新的个人通信频段的应用，在０～２ＧＨＺ范围内，插入损耗＜１．０ｄＢ，隔离度＞５０ｄＢ，输入及输出反射损耗均优于２４ｄＢ。研制的这种高性能单片开关还可在低至－２．０Ｖ的控制电压下工作。

摘要：报道了一个采用级联型单级分布式结构的宽带单片功率放大器的设计方法和研制结果。文中通过拓扑比较和人工传输线理论研究,分析出该功放设计的难点,并基于仿真实验,给出解决方案。最终研制的两级单片功放在6～18GHz频率范围内线性增益13.5dB,平坦度±1dB,输入输出驻波比均小于2。全频带上,饱和输出功率为300～450mW,功率附加效率大于15%。该宽带单片功率放大器在100mm GaAs MMIC工艺线上采用0.25μm功率pHEMT标准工艺制作,芯片尺寸为2.7mm×1.25mm×0.08mm。

摘要：由于行波管"山丘状"功率增益特性需要补偿,提出了具有增益均衡功能的新型宽带单片放大器结构。利用FET作可调元件的嵌入式低损无源滤波网络实现了增益均衡功能。设计中采用了有别于传统的分布放大器形式,选择了高效率高增益级联型单级分布放大器结构。研制出的嵌入增益均衡滤波网络的三级级联型单级分布放大器,在6～14GHz频带范围内,仅使用5个0.25×120μmp HEMT,小信号增益15.5±1.3dB;输入输出反射损耗<-10dB;NF<8dB;频带中部引入的电调衰减幅度超过7dB。芯片面积为2.48mm×1.25mm。验证了此新型电路结构的可行性。

摘要：用 HP EESOF Series IV软件的负载牵引法对功率放大器进行分析 ,给出了匹配电路的基波特性及谐波特性对功率放大器性能的负载牵引结果 ,提出了功率放大器匹配电路谐波设计的思想 。

摘要：描述了Ｓ波段单片四位数字移相器的电路设计、工艺制作和性能。采用集总元件的高通／低通网络构成移相网络和ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ作为开关控制器件，利用南京电子器件研究所标准的离子注入微波单片集成电路（ＭＭＩＣ）制造工艺，研制出Ｓ波段单片四位数字移相器。该移相器在设计工作频带内１６个移相态具有移相精度高（均方根误差小于１°）、输入输出驻波好（＜１．４）和较低的插入损耗（＜５．５ｄＢ）与插损变化（均方根误差小于０．２ｄＢ）等优良的电特性。芯片尺寸为６．４５ｍｍ×１．４ｍｍ×０．２ｍｍ。

摘要：讨论了采用埋栅结构实现 Ga As基改性高电子迁移率晶体管 (MHEMT)增强型模式工作的有关问题 ,提出了增强型 MHEMT的设计与实现方法 .通过不同金属 (Al,Pt,Ti) / In Al As Schottky势垒系统的实验比较研究 ,确定在增强型 MHEMT工艺中采用具有最高势垒高度的 Pt Schottky埋栅结构 ;并进行了以最佳“推栅”温度为重点的器件工艺的深入研究 .在此基础上通过实验研制的原理性 1.0 μm× 10 0 μm Pt栅增强型 MHEMT的特性获得了夹断电压为 +0 .12 V,跨导为 4 70 m S/ m m及截止频率为 5 0 GHz的测试结果 ,优于使用同一外延片制作的

摘要：采用基于测量 S参数和直流参数的工程模型与微波在片测试技术 ,建立与76 mm Ga As工艺线直接结合的Ga As器件 (MESFET,PHEMT)的 MMIC CAD适用器件模型及模型库 ,并通过对不同种类 Ga As MMIC的设计研制进行了验证与改进 ,模拟结果和测试结果基本一致 .目前此模型和模型库已用于76 m m Ga As工艺线上多种微波 Ga As单片的设计研制 .