摘要：高效硅太阳电池研究在最近几年里取得了重大进展.以低阻区熔硅单晶为基体,国外有几个研究小组先后报道了高于20％的光电转换效率.机电部十八所在这个领域所做的努力取得了相近的结果,4cm^2硅太阳电池的AM_(1.5)效率已达到20.3％。 本文介绍了近期在电池结构设计及工艺上的改进.

摘要：基于多层膜的光学计算基本原理,模拟分析多结化合物太阳电池减反射膜的反射谱。模拟结果准确的反应了实际测量结果。以此为基础设计优化Ti O_x/Al_2O_3/MgF_2三层减反射膜,在GaInP/In_(0.01)GaAs/Ge三结太阳电池上实现了减反射膜对子电池响应电流的精确调节,并得到了子电池电流匹配的GaInP/In_(0.01)GaAs/Ge太阳电池,短路电流密度相比制备减反射膜前提升35.84%。

摘要：为提高GaAs/Ge太阳电池对光的吸收 ,我们对Ge衬底Bragg反射器进行了研究。根据GaAs材料对太阳光谱的吸收特点 ,通过转移矩阵的方法 ,对中心波长为 85 0nm的AlxGa1-xAs系材料Bragg反射器进行了光反射的理论计算和设计。依据理论设计 ,利用低压金属有机化合物化学气相沉积 (LP MOCVD)技术在Ge衬底上外延生长中心波长为 85 0nm的Bragg结构 ,测得的反射谱与理论设计相吻合 ,X Ray双晶衍射测得的Bragg周期厚度为 1 1 0nm。制作出具有埋层Bragg结构的GaAs/Ge太阳电池。对整个电池吸收系数的测试结果表明具有埋层Bragg结构的太阳电池的吸收系数低于无Bragg结构的电池。AM 1 .5光谱下电池I V曲线测试结果为 :Voc=1 .0 33V ,Jsc=2 6 .0 4mA/cm2 ,FF =82 .5 2 % ,η =2 2 .2 % 。

摘要：介绍了高压微型砷化镓太阳电池的研究情况,研究了MOCVD砷化镓外延片的结构设计和制作,研究了高压微型砷化镓太阳电池串联结构设计和器件工艺的情况。研制的高压微型砷化镓太阳电池在1cm2面积内串联了118个电池单元,每个电池单元有效面积为500μm×400μm。在AMO光强下,开路电压大于80V,短路电流大于50μA。

摘要：研究了荚醚Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’四异丁基３氧戊二酰胺（ＴｉＢｕＧＡ）正辛醇煤油溶液从ＨＮＯ３体系中萃取Ｔｃ（Ⅶ）的行为．萃取过程为一放热反应，反应热约为４０．１ｋＪ／ｍｏｌ，确定了萃合物的组成和萃取反应机理．萃取反应式为：Ｈ＋＋ＴｃＯ－４＋２ＴｉＢｕＧＡ（ｏ）ＨＴｃＯ４·２ＴｉＢｕＧＡ（ｏ）．