摘要：以某车辆基地全框支剪力墙结构为例,以底盘结构质量、刚度、频率、平面尺寸、裙房柱截面、塔楼高度等为参数,分析大底盘结构对塔楼地震响应的影响及多塔楼之间的影响、塔楼偏置对底盘的影响等。结果表明,底盘效应放大了塔楼受到的地震作用。楼高150m时,塔楼层剪力曲线形状变得弯曲,反映高阶振型带拐点的曲线形状;楼高50m时随裙房范围扩大,底盘效应明显增强,裙房范围每侧60m,裙房上一层的剪力比楼高150m时该层的剪力还要大50%左右,是楼高50m无裙房时该层剪力的2.5倍左右。在车辆基地全框支剪力墙结构设计中需考虑大底盘效应,按实际的底盘范围进行整体计算以真实反映底盘效应。

摘要：目的研讨醋酸奥曲肽与艾司奥美拉唑钠两药共治对急性胰腺炎(Acute pancreatitis,AP)患者机体炎症反应及预后恢复的影响。方法选取2020年10月至2023年8月福建中医药大学附属福州中医院收治的AP患者86例,结合随机数表法设计研究组别,对照组与观察组各43例。对照组予以醋酸奥曲肽用药,观察组予以醋酸奥曲肽联合艾司奥美拉唑钠方案用药,对比两组方案疗效。结果治疗后,观察组方案疗效高于对照组(χ^(2)=4.073,P<0.05)。两组患者急性生理学及慢性健康状况评分系统Ⅱ(Acute physiology and chronic health scoring systemⅡ,APACHEⅡ)得分均明显下降(t=71.274,P<0.05;t=43.718,P<0.05),且观察组APACHEⅡ得分较对照组明显下降(t=12.030,P<0.05)。观察组3项机体炎症指标[白细胞介素-2(Interleukin-2,IL-2)、白细胞介素-6(Interleukin-6,IL-6)与白细胞计数检测值均低于对照组(t值分别为3.740、5.188、4.352,P值均<0.05)。观察组预后恢复相关指标(自主排便、腹痛缓解、腹胀改善及住院)时间均短于对照组(t值分别为3.183、2.561、2.216、2.058,P值均<0.05)。结论对AP患者实施醋酸奥曲肽及艾司奥美拉唑钠两药共治效果明显,可更有效减轻机体炎症反应,改善患者的健康状况,促进其预后恢复。

摘要：分别建立了传统结构与隔震结构的三维有限元模型,通过对这两种结构进行动力特性分析和考虑单向、双向、三向地震作用下的动力时程分析,研究多向地震作用对框架结构的影响。研究分析表明:对于水平隔震,在三向坚硬场地波的作用下,结构的反应增大;对于竖向隔震,隔震结构比传统结构的地震响应都要大,且在双向与三向地震动时,结构的层间剪力和底层柱轴力有较大的影响。因此,在进行铅芯橡胶基础隔震设计时,要考虑结构多向地震作用,尤其是竖向地震作用对结构的影响。

摘要：在中子背散射测量技术中,由于中子的自屏蔽效应,使测量的背散射热中子计数出现非线性,并趋向于饱和,引起测量精度下降,测量范围受到限制。本工作通过简单模型,采用文献提出的技术原理,初步探讨热中子和超热中子入射比对油垢厚度检测中非线性的改善情况。由简单模型和实验测量结果比较可见,采用中子背散射测量油垢厚度时,将热中子和超热中子按一定的比例入射,有助于改善非线性效应,提高油垢厚度检测的水平。

摘要：设计了一种基于0．8μm。双阱BiCMOS高压工艺的高精度LDO线性稳压电路．电路采用四管单元带隙基准作温度补偿，多级误差放大反馈结构稳定输出电压，其中直接将带隙基准电路作为误差放大电路的一部分，从而在不增加电路复杂性的基础上，使整个误差放大电路经过多级放大，增益得到大幅提高．Hspice仿真结果表明：电路在较宽的频率范围内，电源抑制比约为85dB；在温度由-20～80℃变化时，其温度系数约为±35×10^-6／℃；电源电压在4．5～28V之间变化时，最坏情况下其线性调整率为0．031mV／V；负载电流由0mA到满载2mA变化时，其负载调整率仅为0．01mV／mA．

摘要：在分析半导体激光器（LD）温度特性的基础上，研究实施温度补偿的原理和实现方案，并给出电路核心部分的一种新颖结构．该电路采用0．35μm，BiCMOS工艺实现．该电路感应LD温度变化，通过设置外部电阻取值对输出调制电流的幅度、补偿温度起点以及补偿力度进行调节，从而满足LD特性随温度变化的要求，并具有良好的兼容能力．后端仿真结果显示3．3V工作电压下该电路温度补偿范围为20～75℃，最大补偿力度可达4．3dB，输出调制电流幅度为5～85mA，完全满足设计要求，已经应用于622M／1．25Gbit／s光纤通信系统中．

摘要：设计了一种400～800MHz带有源巴伦的低噪声放大器(balun-LNA).电路输入级采用共栅结构实现宽带匹配,输出端使用共源漏技术来实现巴伦功能,将单端输入信号转变为差分输出信号,利用参数优化设计来降低噪声性能.电路采用TSMC 0.18μm RF CMOS工艺仿真,结果表明:在400～800 MHz工作频段内,balun-LNA的输入反射系数小于-12dB,噪声系数为3.5～4.1dB,电压增益为18.7～20.5dB,在3.3V电压下功耗约为17.8mW.

摘要：提出一种具有低谐波失真、高功率因数、快速动态响应的数字PFC系统优化设计方法.从输入导纳的角度分析了影响电流波形失真的主要原因,提出一种在传统PI控制基础上结合前馈补偿的电流内环控制优化算法,减小输入电流谐波失真,提高功率因数;采用PI调节与惯性低通滤波相结合的电压外环控制方法,消除二次谐波影响,同时保证输出电压的快速响应.基于FPGA的实验结果验证了本方法的有效性,实验表明:本设计的功率因数校正电路总谐波失真为6.14%,功率因数可达99.85%.

摘要：设计了一款集成了输入串行数字接口、内嵌EEPROM单元的同步整流升压式DC-DC转换芯片,用于手机背光灯的白光发光二极管(LED)驱动控制。通过内嵌的8位EEPROM存储阵列电路对芯片进行配置可得到3个不同型号的芯片系列,分别驱动3、4、5个串联白光二极管,并依次对应三种过压保护阈值(14.5、18.5和23.5 V)。该芯片可采用1、1.2、1.4和1.6 MHz高频开关频率,具体频率可通过EEPROM进行配置,给芯片外围电路的设计带来了极大的灵活性。同时,可利用EEPROM单元对芯片中的参考电压基准电路进行校准,提升芯片性能。

摘要：设计了一种应用于高速时钟数据恢复电路的低压模拟相位内插器.时钟输入管和电流产生管采用隔离设计,降低了输入时钟电平变化对尾电流的影响;在输入端和输出端增加了整形电路,可有效提高相位内插器在低电压和高频工作环境下的线性度.基于TSMC 90 nm CMOS工艺进行设计,仿真结果表明:该相位内插器在1.2 V工作电压和最大90°相位差的输入时钟下,工作频率达到1.25 GHz,相位内插精度小于±10 ps,具有良好的线性度.