摘要：通过对环境设计专业中传统"快题设计"课程教学模式存在的问题进行深入研究,并总结出不足之处,提出了教学模式多样化、教学成果竞争化等新的教学应对措施及改革方法,提出适应当下大学生需求的"快题设计"课程教学改革模式,希望为环境设计专业"快题设计"课程的教学改革与创新提供参考价值。

摘要：本文通过调查郑州市航空港区园博园的现状,对园林中的建筑、植物、山石、小品、色彩的搭配方式与形式进行对比分析,总结文化意境、植物造景、建筑与周边环境三大园林景观设计的艺术手法,以期对园林景观设计具有重要的意义,从而促进园林事业的发展。

摘要：传统的民居建筑文化设计是现代建筑设计创新的基础和源泉,随着社会的不断发展,人们的生活水平也在不断地提高,在全球化时代背景的影响下,各地区建筑逐渐受到了不同程度的影响。在这种文化背景之下,如何去维持地区建筑的文化特点则是非常重要的问题。以绿色建筑在美丽乡村中的运用为主题,重点探析豫西地区建筑文化存在的特点,首先以绿色建筑和美丽乡村的概念着手,逐渐深入地研究豫西典型建筑窑洞的背景及环境特点,最终为构建"美丽豫西"提出几点建议。

摘要：钧瓷文化作为中国非物质文化遗产之一,具有深厚的社会影响和文化艺术价值,传承与创新对传统文化的发展至关重要。本文通过对钧瓷作品的传承与创新、钧瓷文化公共服务平台及载体建设、钧瓷文化展示、传播等方面对钧瓷文化提出了新的发展思路。

摘要：设计了一款600V VDMOS功率器件的终端保护环结构,采用场限环与复合场板相结合的方式降低硅表面的电场峰值,且表面电场分布均匀.在159μm终端长度上仿真实现了670V的耐压,表面电场最大值为2.36e5V*cm-1,提高了终端的可靠性;工艺简单,同时没有增加额外的掩膜与步骤.

摘要：传统的民居建筑文化设计是现代建筑设计创新的基础和源泉,随着社会的不断发展,人们的生活水平也在不断地提高,在全球化时代背景的影响下,各地区建筑逐渐受到了不同程度的影响。如何去维持地区建筑的文化特点则是非常重要的问题。笔者欲以绿色建筑在美丽乡村中的运用为主题,重点探析豫西地区建筑文化存在的特点,从绿色建筑和美丽乡村的概念着手,逐渐深入地研究豫西典型建筑窑洞的背景及环境特点,为构建“美丽豫西”提出几点建议。

摘要：设计了一款55V N沟道沟槽型功率器件。通过对元胞与边端进行理论分析,结合实际工艺,对元胞与边端进行合理优化。通过对流片测试数据的分析,最终实现击穿电压为69.562V、阈值电压2.85V、特征导通电阻537.8 mΩ·cm2的功率器件设计。仿真与流片的击穿电压偏差1.5%、阈值电压偏差2.4%、导通电阻偏差0.83%,器件具有较高的可靠性。

摘要：垂直双扩散金属氧化物场效应晶体管(Vertical Double-diffused Metal-Oxide-Semiconductor Field Transistor,VDMOS)是由Pbody与外延层之间形成的PN结承受电压,由于工艺限制,元胞区域只能设计为突变结,而终端区域最常用的结构为场限环,在原理上也相当于突变结耐压.结合结终端扩展(Junction Termination Extension,JTE)技术,引入缓变结耐压,设计了一款900V的终端结构,实现了992.0V的仿真击穿电压,终端效率达到了98.6%,而且有效终端长度仅有130.2μm,在较大程度上减小了芯片的占用面积,提高了击穿电压,而且工艺流程与成熟的深阱场限环基本一致,有较好的兼容性.

摘要：为了解决功率器件高击穿电压与减小表面最大电场需求之间的矛盾,提出了一种高压功率器件终端场板改进方法。通过调节金属场板和多晶硅场板的长度,使金属场板覆盖住多晶硅场板,最终使得两者的场强相互削弱,从而减小表面最大电场。采用TCAD(ISE)软件对该结构进行仿真验证,结果表明该结构能够在保证高耐压的前提下减小表面最大电场。基于所提方法,设计出了一种七个场限环的VDMOSFET终端结构,其耐压达到了893.4 V,表面最大电场强度只有2.16×105 V/cm,提高了终端的可靠性。

摘要：为了提高功率器件结终端击穿电压,节约芯片面积,设计了一款700 V VDMOSFET结终端结构。在不增加额外工艺步骤和掩膜的前提下,该结构采用场限环-场板联合结终端技术,通过调整结终端场限环和场板的结构参数,在151μm的有效终端长度上达到了772 V的击穿电压,表面电场分布相对均匀且最大表面场强为2.27×105V/cm,小于工业界判断器件击穿场强标准(2.5×105 V/cm)。在保证相同的击穿电压下,比其他文献中同类结终端结构节约面积26%,实现了耐压和可靠性的要求,提高了结终端面积的利用效率。