摘要：成功设计合成了4种C_(2)轴手性结构上下对称的硫脲催化剂,并将其用于不对称催化构建螺[环丙烷-氧化吲哚]类化合物的合成.实验结果表明,在室温25℃下,x=10%3a作为催化剂,溶剂为CHCl_(3),合成的螺[环丙烷-氧化吲哚]得到较好的产率(89%)和较高的对映选择性(87%).该反应具有环境友好、反应条件温和、催化剂廉价易得等优点.该方法为具有生物药理活性的螺[环丙烷-氧化吲哚]骨架的合成提供了重要途径.

摘要：该文设计合成了(1 R)-2,2′-二羟基-N,N′-双((2-甲基环己基)氨基甲硫酰基)[1,1′-联萘]-3,3′-二甲酰胺(1a)等4种催化剂,并将其用于不对称催化亚甲胺叶里德的1,3-偶极环加成反应合成苯并吡喃[4,3-b]吡咯化合物.实验结果表明:在室温下,以物质的量分数为10%的1d作为催化剂,以CH_(2)Cl_(2)为溶剂,苯并吡喃[4,3-b]吡咯化合物的产率(88%)较高,且产物具有较高(86%)的对映选择性.该反应具有环境友好、反应条件温和、催化剂经济易得和操作简单等优点.

摘要：设计合成了(S)-N3,N3′-双(N-乙酰胍)-2,2′-二羟基-[1,1′-二萘]二甲酰胺(1a)等3种轴手性催化剂,将其用于不对称催化色胺与芳醛的缩合反应中。以甲苯为溶剂,室温25℃下,用20 mol%1a为催化剂,合成的四氢-β-咔啉得到较好的产率(85%)和较高的对映选择性(89%)。该方法为具有生物药理活性的β-咔啉骨架的合成提供了重要途径。

摘要：针对带钢热连轧过程中互相耦合的板形、板厚控制问题,提出一种综合控制策略.首先,在输入空间划分的基础上建立包含多个子模型的多支持向量机模型,并通过主元分析方法实现模型输出的综合;然后,利用建立起来的模型设计优化控制器,对板形、板厚进行综合控制.计算机仿真和现场实验结果均表明了所提出的基于多支持向量机模型的综合控制策略能同时有效地减小板形、板厚偏差.

摘要：为了设计具有最小寄生晶闸管发射结分流电阻Ｒｐ的大电流ＩＧＢＴ，针对圆形、方形、条形等发射极图形设计．建立了Ｒｐ的计算公式模型，并据此讨论了在各种图形设计中的Ｒｐ与ｐ阱高浓度深层扩散的结深和表面杂质的关系，以及图形及其尺寸对Ｒｐ大小的影响．

摘要：传统的频域自调整算法直接对频谱进行运算,不利于对信号的噪声分离。该文在频域采用对数功率谱表示保证了功率谱的正值特性且易于实现带遗忘因子平滑算法,并针对算法的收敛速度与收敛精度之间的矛盾,提出一种变遗忘因子的自调整算法,推导了算法的收敛条件,在此基础上设计了遗忘因子按响应谱取指数平均的自调整方法及相应的迭代算法。仿真验证了文中设计的优化谱均衡算法较传统的均衡算法时间上降低了近50%,稳态误差减小了约90%。

摘要：优质晶体生长常常需要籽晶或衬底偏离常规结晶取向。为便于按任意偏向角度研磨晶片,本实验室设计并应用了晶片取向研磨夹具及相应的研磨工艺。本文介绍了该夹具和工艺的工作原理、技术要点以及对技术指标的鉴定情况。测试结果表明,研磨取向误差范围可控制在5%之内,研磨片厚度偏差小于5μm、粗糙度Ra=0.12μm。

摘要：根据光电晶体管的物理机理和SiC材料参数,建立了4H-SiC紫外光电晶体管的数值模型,利用Silvco软件对其I-V特性和光谱响应等特性进行了模拟与分析;通过研究4H-SiC紫外光电晶体管不同结构尺寸下的光谱响应特性,对其各区掺杂浓度与厚度等参数进行优化设计。结果表明,优化后的光电晶体管光谱响应范围为200～380 nm,峰值波长为270 nm,相应的响应度为300A/W,而对可见-红外光的响应度均小于2 A/W,具有较高的紫外光分辨率,可以实现在较强的红外及可见光背景下有效地进行紫外光探测。

摘要：本文提出一个用PVT法生长S iC晶体的坩埚的新颖设计。分析了生长腔中有无锥形档板对腔内及籽晶温度场的影响;比较了档板取不同厚度时S iC粉源升华面和籽晶表面的温度分布。得出了在腔内增设档板后晶体生长面的温度更趋均匀的结论;获取了随着档板厚度的增加,腔内的轴向温度梯度随之增加,但同时晶体生长面的温度也会降低的设计原则。根据计算结果,选取档板厚度等于2mm为优化参数。

摘要：真空系统的应用在现代科研生产领域中起着越来越重要的作用 ,越来越被人们所重视。真空系统设计的好坏 ,直接影响着晶体生长设备的成功与否 ,而提高真空系统的密封性 ,降低真空系统的漏气率是提高真空性能的主要措施。本文简要阐述了提高真空系统的密封性和降低漏气率的一些措施 ,包括真空系统设计中的结构设计、密封形式的选择、密封材质的选用等 ,提出了一种新型的静密封结构 。