摘要：为了保护芯片不受电源电压起伏的影响,设计了一种应用于移动多媒体广播(CMMB)的带保护电路的低功耗低压降线性调节器(LDO);为了保证LDO的反馈环路在所有负载电流下均稳定,采用低增益、低输出阻抗的buffer来驱动输出管,使环路的相位裕度都高于40°;为了避免输出管在过流和过热时损坏,设计了过流保护电路和过热保护电路:过流保护电路将过载的电流限制在150 mA;过热保护电路包含滞回功能,在温度高于145℃时,过热保护电路将LDO关断,当温度低于125℃时,LDO重新打开。LDO的输入电压范围为1.5～3.3 V,输出电压为1.2 V。LDO采用0.35μm CMOS工艺设计,共消耗30μA的静态电流,最大负载电流为80 mA。芯片面积为380.2μm×198μm。

摘要：分析了基于Ｚｅｔａ变换器的功率因子校正（ＰＦＣ）电路；研究了工作在不连续导电模式的Ｚｅｔａ变换器实现功率因子校正的机理；推导出了保证电路实现功率因子接近１的临界电感值。ＳＰＩＣＥ仿真和实验结果都证明了理论分析是正确的，为设计功率因子校正的Ｚｅｔａ变换器提供了理论依据。

摘要：采用有限元法,对热壁CVD法SiCGe合金生长炉中加热组件的感应加热和温度分布进行了研究。分析了感应线圈匝数和石墨衬托的厚度对磁矢势和温度分布的影响,获取了感应线圈数越多感应生成焦耳热越大且越均匀的结论,得出了随石墨厚度的增加升温速率而增加,相反轴向温度均匀性而变差的设计准则。模拟结果表明选取16匝线圈和10mm左右的石墨壁厚为优化的设计参数。

摘要：使用普通Ｐ型硅片，用全扩散工艺制作ＭＣＴ．除开通与关断ＭＯＳ外，全部器件用常规晶闸管工艺制造．试制品主要电特性达到设计要求，说明了利用全扩散工艺制造ＭＣＴ的可行性．文中讨论了适合于全扩散工艺的器件结构设计思路，报道了样品的测试结果，并对试制工作进行了简单分析．

摘要：采用新型阳极短路环的发射极结构，开发出１０００Ａ，２５００Ｖ和２０００Ａ，２５００Ｖ大功率阳极短路型ＧＴＯ。本文给出该元件的设计原则、制造工艺、通态损耗与关断损耗的最佳折衷结果。

摘要：设计了一种应用于直接变频接收机的低功耗混合信号直流失调消除(DCOC)电路。该电路采用混合信号的方式消除直流失调电压,避免了传统模拟域直流失调消除系统环路响应速度与高通带宽之间的折中,具有功耗低、建立时间快、面积小等优点。采用该DCOC后,直接变频接收机的输出剩余直流失调电压小于37mV,直流失调消除环路的建立时间小于200μs。电路采用0.13μm CMOS工艺实现,芯片尺寸为0.372mm×0.419mm,工作于1.2V电源电压时,消耗电流仅为196μA。

摘要：目的设计一种基于LonWorks现场总线的空调机组智能控制器。方法利用LonWorks现场总线的技术,应用神经元芯片和主处理器进行主从式设计,提出一种模糊RBF神经网络自适应控制算法对各回路进行控制。结果智能控制器能对空调系统温度、湿度等多目标进行有效控制,在实际应用中充分证明了系统的合理性和先进性。结论 LonWorks适合于智能建筑的应用,而模糊神经网络也能提供较好的自适应控制效果。

摘要：碳化硅(SiC)光触发晶闸管(LTT)在工业和国防领域均具有重要的应用价值。在此通过理论设计与实验研究相结合的方法,对4H-SiC LTT进行了研制。所研制SiC LTT为p型长基区结构,长基区厚度为80μm,杂质浓度为2×10^(14)cm^(-3)。为改善阳极发射结空穴注入效率低的问题,短基区设计为双层结构,其中上层轻掺杂层厚度为0.3μm、下层厚度为1.7μm。测试结果显示,所研制SiC LTT正向开启电压为3.1 V,通态压降为4.39 V,比导通电阻约为87.8 mΩ·cm^2;在100 mW/cm^2,365 nm紫外(UV)光触发下,开通延迟时间约为14.9μs,阳极电压下降时间为100 ns,阳极电流上升时间约为11.5μs。

摘要：空调机组的智能控制是楼宇自动化领域的重要内容。本文采用基于模糊PID的空调机组智能控制器的设计方法。设计中充分利用LonWorks现场总线的技术优点,神经元芯片和主处理器进行主从式设计,并利用模糊PID控制算法对各回路进行有效控制。实际应用证明该设计方法的合理性和先进性。

摘要：Wi-Fi联盟制定的WMM规范提出了一种QoS方案,其核心是赋予不同业务以不同的优先级,并引入TXOP传输机制,从而保障了实时业务的传输质量。根据WMM规范,本文提出了QoS的实现方案,完成了基于Verilog语言的硬件设计,在Synopsy VCS环境下进行了仿真验证。