摘要：静态随机存取存储器(Static Random-Access Memory,SRAM)物理不可克隆函数(Physical Unclonable Function,PUF)利用参数设计完全相同的晶体管在制造过程中存在的工艺偏差,生成每块芯片无法克隆的密钥响应.由于SRAM-PUF内部错误分布的随机性,密钥重构需要使用纠错码,而纠错电路的面积与其纠错能力呈正相关,为了降低SRAM-PUF错误分布,减小纠错电路面积,本文通过对SRAM数据残留特性的研究,提出一种数据残留预选算法,对SRAM单元进行筛选,提高PUF响应稳定性,使用区块择优算法筛选SRAM区块,减小响应的分散度,以更短的时间和资源消耗生成SRAM-PUF响应,测试结果表明,在不同温度(-40℃~80℃)和±10%电压波动下,256位SRAM-PUF响应拥有99.8%的稳定性及1.9×10^(-8)的误码率,相对于通用的临时多数表决(Temporal Majority Voting,TMV)算法提升了1.7%的稳定性,降低2.1×10^(5)倍误码率,与1000次TMV相比,时间复杂度从O(2000n)线性降低到O(900n).经过72小时老化测试后,采用数据残留算法预选的SRAM-PUF稳定性仅下降0.2%.

摘要：在稀土熔盐的电解过程中,不同的通电方式对槽内各物理场影响也不同,进而会对电解槽的电解效率产生一定的影响。本文以某企业8 kA稀土电解槽为原型,通过Comsol的热电耦合模块研究通电铜板单侧与多侧分布的通电方式及通电铜板的不同位置分布下的电解槽电解时内部各物理场的变化情况,通过对比电流密度、电势差、电解温度的大小寻找最合适的通电方式。结果表明:只考虑电解效率时,导电板四侧中位通电最优分布方式,此时电解槽内电流密度最大,电能损耗最低,电解效果最好。若考虑制造成本以及可操作性,导电板单侧中位分布是最优解,这种设计的电解槽电解效率较高,同时也留出较大操作空间。其余几种分布均存在弊端,需要进一步完善。该研究旨在为稀土电解槽的结构优化提供参考意见。

摘要：针对我国在避难场所规划过程中对避难弱者的避难需求考虑不足的问题,以日本福祉型避难场所为例,梳理其规划流程,总结其建设、启用与管理的经验。在日本避难场所体系中,福祉型避难场所独立设置,从老年人等避难弱者的需求出发进行规划,其相关建设标准和配套设施等更为完备,并且注重日常维护与管理。本文旨在结合我国避难场所发展现状和老龄化不断加剧的社会背景,通过借鉴日本福祉型避难场所建设经验,为我国避难场所规划建设提供一些启示。

摘要：Ｘ线机集成电路电子限时器丁成怀，陈泽林，罗万福，周成，周小春在选择曝光因素的诸多条件中曝光时间是比较重要的，它直接影响到Ｘ线曝光量的正确选择。为实现对曝光时间的准确控制，我们设计研制了一种用ＣＭＯＳ可编程的电子限时器，它的时间选择档位为６０档，时间选...

摘要：本文介绍了广梧高速公路采用的管桩+袋装砂井复合地基设计、施工、加固效果，结合桩土应力比、桩顶及桩间土沉降试验和测试结果分析，论述了该种处理方法的特点。