摘要：基于高压模拟开关需求,对100 V绝缘体上硅(SOI)厚栅氧横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)器件开展研究。利用仿真软件,研究了该LDMOS器件的结构参数,包括漂移区长度、漂移区掺杂剂量、多晶硅栅场板长度对LDMOS器件击穿电压的影响。采用沟道离子补偿注入的方法,通过控制沟道区调整沟道区硼离子注入剂量,调节器件的阈值电压,同时通过优化N阱区(N-well)注入窗口长度改善器件的饱和电流。

摘要：随着连接器在航天、核电等行业应用不断推广,相关大型设备多为多功能集成设备,其内部涉及多种信号、介质的传递,需要多种类型的连接器来实现其信号的传递。多连接器的单独连接对自动化设备的要求高,多个连接器依次安装对接的时间成本高,对接不畅也会导致故障,造成经济损失。同时,连接器的人工插拔在安全性与效率上已无法满足使用工况,尤其涉及高压流体、大电流连接设备的工作环境。针对电连接器的不足,基于连接器集成技术提出组合连接系统的概念;从组合连接系统的意义与设计出发,简述了该系统的优点、功能、原理及关键技术;提出了该系统的结构件、电连接器、流体连接器设计方法,并进行了试验验证。提供了一种新型的连接器集成方案,并搭建了具体产品,对连接器集成自动对接的未来发展方向提供了思路与参考。

摘要：基于标准Bipolar-CMOS-DMOS(BCD)工艺研制的抗辐射电源管理芯片无法满足航天应用要求,抗辐射BCD工艺的发展严重制约了我国在航天领域核心器件的研制。与CMOS器件相比,LDMOS器件具有更高的工作电压和更多的介质结构,更易受到总剂量问题的困扰。本文基于标准0.18μm BCD工艺,开展了18 V NLDMOS器件总剂量辐射效应研究,提出了一种总剂量辐射加固工艺技术。采用离子注入和材料改性技术工艺,提高了浅槽隔离场区边缘的P型硅反型阈值,从而增强了NLDMOS器件的抗辐射能力。通过对比实验表明,当辐照总剂量为100 krad(Si)时,加固的NLDMOS器件的抗辐射性能明显优于非加固的器件。通过总剂量辐射加固工艺技术的研究,可有效提高器件的抗总剂量辐射能力,避免设计加固造成芯片面积增大的问题。